求助:MOS管G电压被拉低
用MOS管做的E类放大电路。把VCC电压提高到一定电压时15V及以上,会把MOS管栅级G的电压拉低,求分析下原因。同问下,为什么输出的功率好低(副边的)http://b.hiphotos.baidu.com/album/s%3D1400%3Bq%3D90/sign=2bc938ec0924ab18e416e53305caddbc/e850352ac65c10382aec1308b2119313b17e896e.jpg 看不见图片{:sad:} 看不到图。。晕死。。{:dizzy:} 帮楼主发下图,但是看不清型号,一般说来,MOS管的GD间有电容,D对G有一点影响,但是应该不会把G的电压拉低看到的是百度的广告........{:curse:} 有可能产生自激了 usk5yenj4id04dm 发表于 2013-1-19 08:23 static/image/common/back.gif
看到的是百度的广告........
...第一次发帖,不懂怎么传图好,就直接传百度空间,然后把图片链接弄过来...见谅 r166 发表于 2013-1-19 08:58 static/image/common/back.gif
有可能产生自激了
{:smile:} 是什么产生了自激了呢。感觉应该不是自激的原因,D的电压波形,在MOS管开通时,已经由于负载LC振荡降到了0V了。应该不会由于D的电压负反馈产生自激振荡的才对,不懂什么原因了。{:cry:} lcw_swust 发表于 2013-1-18 13:32 static/image/common/back.gif
帮楼主发下图,但是看不清型号,一般说来,MOS管的GD间有电容,D对G有一点影响,但是应该不会把G的电压拉低 ...
MOS管型号是IRF840 阻抗匹配完全未匹配而且变成重載,估計Q1的Rout大于3Ω很多就相当于输出短路了。即使只是求有諧振那么C1要约減少Cgd 。至于Q1的Rout是多少請參見丙类放大。 就是驱动不够!输入驱动电流和电压是否达到设计值,方波变正旋波,你驱动陶瓷片?阻抗匹配考虑了吗?
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