可控硅驱动方案求解，请各位前辈指点
本帖最后由 xulong20006 于 2012-12-30 21:36 编辑最近想用两只可控硅反并联做220V交流调压电路，由555产生驱动信号，由单片机来检测过零点和是否将555的控制信号给可控硅，请各位大侠指点一下，最好是能说一下具体方案？ 用了单片机 还用555做啥。。。用单片机的INT0做中断降压检测 过零电压就行了 本帖最后由 xulong20006 于 2012-12-30 21:55 编辑
wind2100 发表于 2012-12-30 21:47 static/image/common/back.gif
用了单片机 还用555做啥。。。用单片机的INT0做中断降压检测 过零电压就行了 ...
这位兄台说的没错，但是单片机后面还有别的用途，现在的目的只有一个，尽可能减少CPU的处理，请各位前辈按照题目设置的问题指点，谢谢！ “由单片机来检测过零点和是否将555的控制信号给可控硅” ————
两个470K电阻串联接到INT0,检测过零 一个定时器计算过零延迟 ，至于驱动可控硅，延迟时间到，一条指令不就搞定了？ 确实既然用了mcu还用555干嘛呀。只需根据中断以后计时再触发就可以了。可控硅驱动建议用脉冲变压器。或者不怕钱多用可控硅光耦。 楼上那种挺好， wy2000 发表于 2012-12-30 22:28 static/image/common/back.gif
确实既然用了mcu还用555干嘛呀。只需根据中断以后计时再触发就可以了。可控硅驱动建议用脉冲变压器。或者不 ...
由555产生触发脉冲序列，MCU只负责逻辑处理。请各位在说明时最好给出一个电路，然后结合电路来讲讲！谢谢 ziho2005 发表于 2012-12-30 22:14 static/image/common/back.gif
“由单片机来检测过零点和是否将555的控制信号给可控硅” ————
两个470K电阻串联接到INT0,检测过零 一 ...
过零检测是采用2只光耦来实现的，送到INT0和INT1。我现在想向大家请教的是各部分采用怎样的电路并且怎样的组合才是最好的。请在各部分说明时给出一个具体电路，结合电路来说明。谢谢！ xulong20006 发表于 2012-12-31 11:53 static/image/common/back.gif
过零检测是采用2只光耦来实现的，送到INT0和INT1。我现在想向大家请教的是各部分采用怎样的电路并且怎样 ...
这个资料可以看看
本帖最后由 xulong20006 于 2013-1-1 11:41 编辑
ziho2005 发表于 2012-12-31 21:25 static/image/common/back.gif
这个资料可以看看
新年好！谢谢，为什么资料无法下载呢？[attachimg]81680 xulong20006 发表于 2013-1-1 11:38 static/image/common/back.gif
新年好！谢谢，为什么资料无法下载呢？81680
不好意思 我也不知道 你留个EMAIL 有空我给你发 ziho2005 发表于 2013-1-1 23:53 static/image/common/back.gif
不好意思 我也不知道 你留个EMAIL 有空我给你发
xulong06@126.com十分感谢！ 本帖最后由 xulong20006 于 2013-1-3 19:12 编辑
ziho2005 发表于 2013-1-1 23:53 static/image/common/back.gif
不好意思 我也不知道 你留个EMAIL 有空我给你发
谢谢！已经收到，真的是一份很好的资料！
与更多的坛友分享！ 有一种方法，单片机外加358运放，有运放采集信息放大，给单片机，再有单片机运算控制相应的IO口； 为什么要两个并联？
反并联是什么意思？
莫非楼主说的是单向的？
单向的反并联？触发是问题啊，搞复杂了。
建议还是用双向的吧。
负载是感性还是阻性还是容性？
555真的没必要，MCU只是检测一个过零和输出一个触发脉冲，占用不了多少资源的。为什么要把过零信号分开给两个IO？这样不是浪费吗？ 负载没说清，可控硅控制不同的负载是不一样的，按阻感负载区分过零电路不同，按负载的惯性控制方式不同过零移向 mark学习{:smile:} xiaobendan001 发表于 2013-2-10 07:50 static/image/common/back.gif
为什么要两个并联？
反并联是什么意思？
莫非楼主说的是单向的？
双向可控硅还有很多问题没解决，尤其是大功率的，过零检测用一个IO口即可是对的。555为了产生出发脉冲去驱动可控硅，用脉冲变压器 marshallemon 发表于 2013-2-10 14:15 static/image/common/back.gif
负载没说清，可控硅控制不同的负载是不一样的，按阻感负载区分过零电路不同，按负载的惯性控制方式不同过零 ...
负载是电机，但是我现在做实验时用灯泡。对于阻性负载和感性负载各应该怎么设？ 感性负载，还是比较难处理的，电机是多少功率的？ xulong20006 发表于 2013-2-24 21:59 static/image/common/back.gif
负载是电机，但是我现在做实验时用灯泡。对于阻性负载和感性负载各应该怎么设？ ...
感性负载会对过零点影响，21ic中有篇文章，你可以搜搜看 xiaobendan001 发表于 2013-2-25 08:41 static/image/common/back.gif
感性负载，还是比较难处理的，电机是多少功率的？
比方说75KW的 marshallemon 发表于 2013-2-25 14:05 static/image/common/back.gif
感性负载会对过零点影响，21ic中有篇文章，你可以搜搜看
好的！谢谢！ 最简单可靠的方法，我是说你的环境是感性75kw啊，那启动停机不是闹着玩。说mcu直接驱动可控硅的，都是没在强电环境下使用过mcu的，问为什么反相并联的，都是没用过大电流可控硅的（比如3KA）。
现在说方法，用舵机驱动电位器（角度传感器）。就算mcu死机了，重启了，脉冲干扰了，功率级不会乱动作。
不是有那句话么，你可以不动作，但是不能乱动作。 这么大功率啊，俺没有发言权了
俺只控制过单相的1.5KW的电机
这么大功率肯定是三相的了，这电流不是闹着玩的，这么大的双向的可控硅不知道有没有，那就得用两个单向的并联了吧
唉，没有搞过，不能瞎说了 这种大电机好像有卖软启动器的，不知道效果怎样，是不是也是可控硅控制的？
或者用变频器？成本太高了点吧
俺见过40KW的变频器在用，很大的体积啊，电机是30的好像 本帖最后由 xulong20006 于 2013-2-26 19:43 编辑
xiaobendan001 发表于 2013-2-26 08:49 static/image/common/back.gif
这种大电机好像有卖软启动器的，不知道效果怎样，是不是也是可控硅控制的？
或者用变频器？成本太高了点吧
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软起目前都是用的晶闸管，效果很好啊。变频用的是IGBT，再说75KW还是算很小的，曾今还听说过上兆瓦的 xiaobendan001 发表于 2013-2-26 08:47 static/image/common/back.gif
这么大功率啊，俺没有发言权了
俺只控制过单相的1.5KW的电机
这么大功率肯定是三相的了，这电流不是闹着玩 ...
大一点的都是用的单向可控硅反并联的方式，像我现在接触的变频电流都达1400A了 可以完全用单片机搞定啊，用555其不是没有什么用处了，不知道现在问题是不是已经解决了，如果没解决可以提供方案 好贴不能停啊。。。
哪位大侠有做出来的：单片机控制单向电机软启动的项目或资料发上来学习一下。
我现在做单片机控制交流电机恒速（负载变化，但电机的速度要保持恒定），但是连软启动这一步都没调出来，太汗了，，， huhang 发表于 2013-4-3 23:12 static/image/common/back.gif
可以完全用单片机搞定啊，用555其不是没有什么用处了，不知道现在问题是不是已经解决了，如果没解决可以提 ...
用单片机是完全可以搞定，但是用555产生脉冲序列触发可控硅可靠简单。想想听听这位前辈的方案：恳请不吝赐教！ 本帖最后由 huhang 于 2013-4-6 22:43 编辑
xulong20006 发表于 2013-4-6 16:59 static/image/common/back.gif
用单片机是完全可以搞定，但是用555产生脉冲序列触发可控硅可靠简单。想想听听这位前辈的方案：恳请不吝 ...
我用STM32做过三相全控整流控制直流电机，即直流调速系统，将交流电通过电压互感器转换为低电压信号进入运放和比较器产生过零点同步信号，该过零点的同步信号接入MCU的外部中断，每次过零点时打开定时器，通过装载定时器的初始始值改变移相角度。移相的控制时序你应该都懂的，就不多说了，通过PI运算进行电压闭环控制或者转速闭环控制，还有功率闭环，带动两千瓦以上的电机稳定长时间运行。
不过你这么大功率的电机，建议用模拟芯片产生触发脉冲可靠性会更好，比如单相可以考虑用TCA785,三相的可以考虑用TCA787，毕竟这些模拟触发脉冲产生芯片对抗干扰是非常好的，单片机只要用DA控制这些芯片的移相电压就可以了。方案可靠简单，这些都有很多成功案例的
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