happyyang2012 发表于 2012-12-12 19:46:29

SDRAM 刷新问题请教

SDRAM 的刷新周期是最多64ms，那么在读写数据的时候可能大于64ms,   这个怎么处理呢 ？菜鸟弄了好几天 ？ 求大侠知道谢谢！！

NJ8888 发表于 2012-12-13 21:09:04

据有人说几十分钟不刷也不丢。不过你还是按规则64ms全刷一遍，可以集中刷也可均匀刷或随机刷，反正64ms转一圈，如果是显存，那不用特意刷，因为地址一直更新

fishplj2000 发表于 2012-12-13 22:08:51

NJ8888 发表于 2012-12-13 21:09 static/image/common/back.gif
据有人说几十分钟不刷也不丢。不过你还是按规则64ms全刷一遍，可以集中刷也可均匀刷或随机刷，反正64ms转一 ...

如果是显存，那不用特意刷，因为地址一直更新
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能不能说详细点？

是因为地址一直更新，所以不用刷新？
还是因为数据一直在更新，所以不用刷新？

苦行僧 发表于 2012-12-13 22:30:53

NJ8888 发表于 2012-12-13 21:09 static/image/common/back.gif
据有人说几十分钟不刷也不丢。不过你还是按规则64ms全刷一遍，可以集中刷也可均匀刷或随机刷，反正64ms转一 ...

我觉得大侠说的是这个意思：如果数据需要保存大于64ms，那么64ms一定要刷新，如果是显存，数据储存周期小于64ms，故不用刷新，我理解对否？

NJ8888 发表于 2012-12-13 22:40:30

因为显存数据一直在按地址更新，所有需要的地址都会因为更新而充电，所以不用特意刷新

happyyang2012 发表于 2012-12-15 18:34:36

NJ8888 发表于 2012-12-13 21:09 static/image/common/back.gif
据有人说几十分钟不刷也不丢。不过你还是按规则64ms全刷一遍，可以集中刷也可均匀刷或随机刷，反正64ms转一 ...

你好，我想采用突发页读写的模式，就是翻看数据手册也没看明白怎么结束页突发读写？ 我的是512个16位的数。

在网上搜点资料看到说：
    将0~255共256个数采用页突发方式写入SDRAM中，然后读出求其累计和，观察实验现象，通过结果判断读写是否正确。
页突发写流程：WRITEA（ADDR/DM/DATA）→响应CMDACK→写数据→PERCHARGE命令（在最后一个数据出现的前3个时钟发出，结束页突发）→PERCHARGE-NOP（4个时钟后）→发送第二个PERCHARGE（关闭当前行）→响应其CMDACK→返回IDLE状态。
页突发读流程：READA（ADDR/DM）→响应CMDACK→等待tRCD + CL + 2个时钟读取第一个数→执行PERCHARGE（读取的最后一个数据出现前的CL - 1 + 7个时钟发出，用于结束页突发）→PERCHARGE-NOP（4个时钟后发出）→执行PERCHARGE（关闭当前行）→响应其命令CMDACK→返回IDLE状态。


执行PERCHARGE（读取的最后一个数据出现前的CL - 1 + 7个时钟发出，用于结束页突发）→这一步的不太明白 怎么才能做到在最后一个数据出现前的发出这个命令。？？？

菜鸟求大神指导！！ 谢谢~~~~{:shy:}

wangshaosh123 发表于 2012-12-16 09:50:24

苦行僧 发表于 2012-12-13 22:30 static/image/common/back.gif
我觉得大侠说的是这个意思：如果数据需要保存大于64ms，那么64ms一定要刷新，如果是显存，数据储存周期小 ...

你说的对头！这个肯定是这样的 i guess

苦行僧 发表于 2012-12-16 14:08:02

wangshaosh123 发表于 2012-12-16 09:50 static/image/common/back.gif
你说的对头！这个肯定是这样的 i guess

我也没弄过SDRAM，只是当时在学校 的时候学过，弄过一阵子，看过点资料，我猜的，呵呵
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