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linucos 发表于 2012-12-8 11:21:55

单片机IO口上拉电阻的不解，各位指点！

当上拉电阻是10K的时候，如果单片机内部要读IO的状态，是不是内部电阻要很大才行，来保证IO那点电位是逻辑高电平呢？
另外，其他单片机和51的实现，类似吧？
谢谢各位！

shiningjohn 发表于 2012-12-8 11:34:35

一般单片机的IO口处于输入状态时，都是高阻态 high Z，即如楼主第一张图中的输入缓冲器，其输入阻抗很大（兆欧级）

linucos 发表于 2012-12-8 11:39:21

shiningjohn 发表于 2012-12-8 11:34 static/image/common/back.gif
一般单片机的IO口处于输入状态时，都是高阻态 high Z，即如楼主第一张图中的输入缓冲器，其输入阻抗很大（ ...

好吧，实际上，是不是上拉电阻，大点也无所谓了？

shiningjohn 发表于 2012-12-8 12:15:04

linucos 发表于 2012-12-8 11:39 static/image/common/back.gif
好吧，实际上，是不是上拉电阻，大点也无所谓了？

不一定，上拉电阻与信号的上升时间和功耗有关，上拉电阻大->信号上升慢，耗电省；上拉电阻小->信号上升块，耗电大

linucos 发表于 2012-12-8 12:57:37

shiningjohn 发表于 2012-12-8 12:15 static/image/common/back.gif
不一定，上拉电阻与信号的上升时间和功耗有关，上拉电阻大->信号上升慢，耗电省；上拉电阻小->信号上升块 ...

好吧，谢谢

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