MSp430+SI4432 低功耗问题求解
MSP430+si4432, Si4432不上点， 系统低功耗电流为7uA， Si4432上电， 初始化进入Sleep模式， 晶体都是关掉的。电流300uA, MSp430接口与SI4432没有上下拉电阻。
有谁用过Si4432 的WUT, 电流测试结果是多少？ 如果430和4432一直处于sleep低功休眠耗模式，应该在几个uA以内；
使用WUT模式，这个跟你的配置参数有关，如同PWM波占空比有关，电流表测出来只是个有效值，除非你的电流表响应时间够快。
pentong 发表于 2012-12-6 09:40 static/image/common/back.gif
如果430和4432一直处于sleep低功休眠耗模式，应该在几个uA以内；
使用WUT模式，这个跟你的配置参数有关，如 ...
谢谢，我只是把07号寄存器写0了。这样Si4432 就在sleep模式了，但电流有300uA, 不正常。 我QQ 23542276, 请教
代码入下：
/*******************************************************************************
*
********************************************************************************/
voidRF_SetWUT(UINT16 WUT_ms)
{
UINT8 WUT1_ms = WUT_ms&0xFF;
UINT8 WUT2_ms = (WUT_ms&0xFF00)>>8;
// Wut = 4*M*Power(2, reg(0x14))/32.768ms
SpiWriteAddressData((REG_WRITE | 0x14), 0x05); // 4*M: ms. set R
SpiWriteAddressData((REG_WRITE | 0x16), WUT1_ms);
SpiWriteAddressData((REG_WRITE | 0x15), WUT2_ms);
}
/*******************************************************************************
*
********************************************************************************/
voidRF_SetTLDC(UINT8 TLDC_ms)
{
SpiWriteAddressData((REG_WRITE | 0x19), TLDC_ms); //*4ms
SpiWriteAddressData((REG_WRITE | InterruptEnable1 ), 0x02);
SpiWriteAddressData((REG_WRITE | InterruptEnable2), 0x00);
// EN Bit2 and BIT4
SpiWriteAddressData((REG_WRITE | OperatingFunctionControl1), 0x01);
SpiWriteAddressData((REG_WRITE | OperatingFunctionControl1), 0x00);
SpiWriteAddressData((REG_WRITE | OperatingFunctionControl2), 0x14);
// Read interrupt status regsiters. It clear all pending interrupts
// and the nIRQ pin goes back to high.
SpiReadRegister(0x03);
SpiReadRegister(0x04);
} 你需要先排除是否是RF配置不当引起的，简单的方法：
拉高si4432的SDN复位引脚，MSP430进入LPM3模式，测试下总电流多少
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