一只MOS管+另外4只管子控制4路通断
如下图：CVON输入脉冲信号，当CVON为高电平的时候要接通上面的4只管子，进行测量，当CVON为低电平的时候不接通上面的4只管子，CVON信号控制的管子我用2N7002，上面的4只管子是用耗尽型的NMOS吗？JFET还是也可以使用2N7002？麻烦高人指点，有点糊涂了，谢谢 是最下面的那只管子为N沟道增强型的管子，上面的4只为P沟道耗尽型的管子吗？
要求CVON为高电平的时候接通上面的4只管子，进行测量，当CVON为低电平的时候不接通上面的4只管子。 楼主电显用的？ 不是电显 电压不高，电流不大，4066不是很简单吗。 zhanan 发表于 2012-11-15 12:12 static/image/common/back.gif
电压不高，电流不大，4066不是很简单吗。
74HC4066吗? zhanan 发表于 2012-11-15 12:12 static/image/common/back.gif
电压不高，电流不大，4066不是很简单吗。
我看了一下电压不满足，4066的电压不是2v~12v吗？ 说句题外话：一直连着不可以吗？？ jackielau 发表于 2012-11-15 14:50 static/image/common/back.gif
说句题外话：一直连着不可以吗？？
为了降低能耗 jackielau 发表于 2012-11-15 14:50 static/image/common/back.gif
说句题外话：一直连着不可以吗？？
您好，能帮忙看下吗？下面的管子我用P-ch的JFETMMBF5460，上面的管子我使用N-ch的NMOS 2N7002，可以吗？ RX，RY，RZ是起什么作用的哦 上面用2Ｎ7002没问题。 lzy_scanworld 发表于 2012-11-15 15:52 static/image/common/back.gif
上面用2Ｎ7002没问题。
那最下面的那只管子用P-ch的JFETMMBF5460呢？
扫把图如下：
那四个管子不要用JFET，用普通P沟道增强型的管子就可以了。注意最下端用作开关 3.6V 电池的 PMOS, 有可能要用到逻辑电平的。
仿真结果电流值和原电路设计相同。
eblc1388 发表于 2012-11-15 16:09 static/image/common/back.gif
那四个管子不要用JFET，用普通P沟道增强型的管子就可以了。注意最下端用作开关 3.6V 电池的 PMOS, 有可能要 ...
呵呵，我忘了还有LTspice可以使，能不能把仿真文件上传上来 仿真文件如下：
以下仿真，当其中一个电池电压发生变化时，对其它采样端的电压影响。
eblc1388 发表于 2012-11-15 16:35 static/image/common/back.gif
仿真文件如下：
您说的最下面的那个PMOS要用到逻辑电平的是什么意思？ eblc1388 发表于 2012-11-15 16:56 static/image/common/back.gif
以下仿真，当其中一个电池电压发生变化时，对其它采样端的电压影响。
您是说-3.6V有可能打不开最下面的PMOS是吗？ 是啊，因为电池电压可以跌低至3V以下，而我又不知道你会选用的PMOS形号。 最下面用三极管,上面用PMOS. 全部用P-MOS.
全得是增强型. 两边两个用耗尽型也可----可能更好.
图上画的很清楚.
不过耗尽型的MOS似乎不多见. flotox 发表于 2012-11-15 14:34 static/image/common/back.gif
我看了一下电压不满足，4066的电压不是2v~12v吗？
CD4066 3~18V
已经是微安级别的了，严重怀疑你检测端的阻抗是否匹配。 管子都是工作在uA级，如果使用普通的PNP三极管也是可以的，基本上Vce=0. zhanan 发表于 2012-11-15 18:55 static/image/common/back.gif
CD4066 3~18V
已经是微安级别的了，严重怀疑你检测端的阻抗是否匹配。
也许楼主并不是只有4串，如果再往上串联，比如10串，CD4066的耐压还是不行。
而且楼主的电路中平时是完全不耗电的，并不是CD4066那样简单的运用。
楼主的电路来源应该是TI的电量管理芯片设计运用。
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