准谐振反激是如何钳位的
最近关注了一下准谐振模式的反激式变换器，看到fairchild的一个片子发现他们竟然没有使用钳位电路，非常不理解，求高人解释，附上电路图和相关文档C107就是箝位，反激是没有这个电容的。 gzhuli 发表于 2012-9-9 19:16 static/image/common/back.gif
C107就是箝位，反激是没有这个电容的。
按照fairchild的说明，C107是用来和MOSFET的Coss组成谐振电容的，是不是有箝位的作用呢？我看到安森美的准谐振方案也有这个电容，但是RCD箝位电路也是有的 谐振电路顾名思义没有尖峰脉冲，要吸收电路干神马？ i55x 发表于 2012-9-9 20:43 static/image/common/back.gif
谐振电路顾名思义没有尖峰脉冲，要吸收电路干神马？
准谐振只是在MOSFET振铃的谷值开启MOSFET，和严格意义的谐振不一样啊，尖峰是在MOSFET关断时出现的，不是一回事吧
不知道准不准确，我看到安森美的准谐振反激方案是有RCD箝位的 以上各位都正确。如果沒有超过耐压就不必箝位,准谐振或谐振形式其中一个作用就是避免箝位以減少損失。 mixture 发表于 2012-9-9 19:52 static/image/common/back.gif
按照fairchild的说明，C107是用来和MOSFET的Coss组成谐振电容的，是不是有箝位的作用呢？我看到安森美的 ...
能量主要被C107吸收掉了，MOSFET的电压应力大大减小，只要控制好变压器漏感就不需要额外的RCD箝位了。 次级绕组就是很好的箝位，你看电磁灶就不需要箝位 WUWEWU 发表于 2012-9-10 07:41 static/image/common/back.gif
次级绕组就是很好的箝位，你看电磁灶就不需要箝位
电磁灶不需要钳位是因为有谐振电容存在 WUWEWU 发表于 2012-9-10 07:41 static/image/common/back.gif
次级绕组就是很好的箝位，你看电磁灶就不需要箝位
次级绕组是很好的钳位，不明白。。。
准谐振反激和普通反激的差别只是在开关开启时，一个是零电压切换，一个是硬切换，不知道这样理解对不对 mixture 发表于 2012-9-10 09:03 static/image/common/back.gif
次级绕组是很好的钳位，不明白。。。
准谐振反激和普通反激的差别只是在开关开启时，一个是零电压切换， ...
对的啊，效率才能提高 谐振.....也许那些本来要想办法吸收掉的能量现在可以储存起来...还有用, 所以效率才会高. usk5yenj4id04dm 发表于 2012-9-10 13:36 static/image/common/back.gif
谐振.....也许那些本来要想办法吸收掉的能量现在可以储存起来...还有用, 所以效率才会高. ...
准谐振提高了效率是因为减少了开关管开启时的电源，没看到有资料提到这种方式能够将漏感能量存储起来 gzhuli 发表于 2012-9-10 00:00 static/image/common/back.gif
能量主要被C107吸收掉了，MOSFET的电压应力大大减小，只要控制好变压器漏感就不需要额外的RCD箝位了。 ...
可能是的，C107比较大，不至于产生很高的尖峰 所谓的准谐振 就是通常所说的QR工作模式，就是利用励磁电感和DS间的电容谐振，在谐振的谷底将MOS关断，从而实现减小关断损耗的目的。
QR模式是一种变频的控制方式。加上C107是为了和Cds电容并联，提高谐振效果（因为虽然同批次的MOS 但是Cds电容还是有差异的，并联上C107后，谐振起作用的主要是C107）。
QR工作模式一般应用时要使用RCD吸收的，但是使用RCD吸收了，会使得效率降低。当然，只要你选择耐压高的MOS，可以不要，还有变压的漏感要小。 zzjjhh250 发表于 2012-9-10 21:47 static/image/common/back.gif
所谓的准谐振 就是通常所说的QR工作模式，就是利用励磁电感和DS间的电容谐振，在谐振的谷底将MOS关断，从而 ...
你说得没错，这个片子是内置开关的，650V耐压，我回头试试就知道不箝位可不可行了 mixture 发表于 2012-9-10 22:22 static/image/common/back.gif
你说得没错，这个片子是内置开关的，650V耐压，我回头试试就知道不箝位可不可行了 ...
我看过KA5Q1265RF的板子，确实没有箝位，跟手册是完全一样的电路。 gzhuli 发表于 2012-9-11 05:57 static/image/common/back.gif
我看过KA5Q1265RF的板子，确实没有箝位，跟手册是完全一样的电路。
好的，谢过gzhuli大师 mixture 发表于 2012-9-11 08:59 static/image/common/back.gif
好的，谢过gzhuli大师
官方的DEMO不一定都是最优的
一般电源PWM ic 包括 TI NXP这些，PWM IC的成熟还是靠大的工程出货来验证的。像 台大 光宝 艾默生 之类的电源公司来给他们验证，当然他们也会先用，以利用高的集成度和low cost来占领市场…… 请问楼主已经做出来的使用RDC钳位了么？是在是像楼上说的，这个电路是在耐压足够高，漏感足够小，关断尖峰能被C107吸收的前提下设计的？ 本帖最后由 R88 于 2014-7-8 09:34 编辑
C107，0.5*Ip^2*Lleak=0.5*C*U^2---U=Ip*(Lleak/C)^0.5，C越大U变化量越小。 我看有人说把C107加大还可以减小关断损耗呢。 R88 发表于 2014-7-8 09:33
C107，0.5*Ip^2*Lleak=0.5*C*U^2---U=Ip*(Lleak/C)^0.5，C越大U变化量越小。 我看有人说把C107加大还可以减 ...
减小C107才能降低开关损耗，不过减小C107会增加MOSFET电压应力，用更高耐压的管又会增加导通损耗。
追求极致效率的话最好是PFC升至固定电压，这样就可以精确计算C107做到ZVS。 gzhuli 发表于 2014-7-8 10:12
减小C107才能降低开关损耗，不过减小C107会增加MOSFET电压应力，用更高耐压的管又会增加导通损耗。
追求 ...
至于开通损耗是在最小电压处开通：
他的起始幅值是Vor，衰减因子也和C107没有关系，所以不影响开启时的幅度。
关闭的时候C107可以减小关断损耗，来源于下面的文章：
两者一配合就可以实现ZVS开启，ZVS关闭了，其实DCM本身就是ZCS开启，ZVS开启本身对效率的影响不大（Coss引起的损耗很小）。所以靠ZVS关闭才能把效率提上来。 R88 发表于 2014-7-8 10:49
至于开通损耗是在最小电压处开通：
他的起始幅值是Vor，衰减因子也和C107没有关系，所以不影响开启时的 ...
QR的开通电压是Vin - Vor，如果Vin <= Vor就是ZVS，而Vin - Vor > 0的话C107上的剩余能量是要变成开通损耗的。
Vor不能太高，C107也不适宜太大，对于100~240的设计总是会有两头不能兼顾的感觉。 gzhuli 发表于 2014-7-8 11:51
QR的开通电压是Vin - Vor，如果Vin0的话C107上的剩余能量是要变成开通损耗的。
Vor不能太高，C107也不 ...
我觉得还得看试验吧，说不定关闭损耗的减小>C107开通引起的损耗了呢。 gzhuli 发表于 2014-7-8 11:51
QR的开通电压是Vin - Vor，如果Vin0的话C107上的剩余能量是要变成开通损耗的。
Vor不能太高，C107也不 ...
大师，加入Vin在100-200V，Vor如果取150V，那么对于Vin为100V时，mos的二极管可能会嵌位，这是会不会对振荡有些影响呢？也就是影不影响正常工作呢？ R88 发表于 2014-7-9 23:18
大师，加入Vin在100-200V，Vor如果取150V，那么对于Vin为100V时，mos的二极管可能会嵌位，这是会不会对振 ...
没影响的啊，你觉得会有什么影响呢？ MOSFET关心的是ZVS开通，而不是ZVS关断。关断损耗与关断时的交越时间有关，这个时间越短，关断损耗才会越小。
虽然在这类准谐振反激（准确来讲是准方波谐振）在MOS的DS上并适当电容可能会提高效率。
ON的方案中，有RCD吸收电路，同时还在DS两端并联电容，并这个电容的目的是为了改善EMC，仅此而已。
这个电容通常选择101，不会超过201，当然一些极限情况也见过102的。 yfwuh 发表于 2014-7-10 00:39
MOSFET关心的是ZVS开通，而不是ZVS关断。关断损耗与关断时的交越时间有关，这个时间越短，关断损耗才会越小 ...
MOSFET关心的是ZVS开通，而不是ZVS关断-----我在资料上也看到一般是ZVS开启，ZCS关闭，但是mos为何关心zvs开启呢？zvs关闭不行么？这是什么原理？
关断损耗与关断时间有关，但也与电压电流的幅值有关啊--P=0.5*Vds*Ipk*Tross/T，关断的电压幅值越小，关断损耗不就越小。
我见过有人加20nF的，还是一个电源网的讲座。 gzhuli 发表于 2014-7-10 00:10
没影响的啊，你觉得会有什么影响呢？
我怕二极管效率LC中的能量，导致后面的谐振幅值减小很多，控制器不能检测到后面的谷底了。 R88 发表于 2014-7-10 08:08
MOSFET关心的是ZVS开通，而不是ZVS关断-----我在资料上也看到一般是ZVS开启，ZCS关闭，但是mos为何关心zv ...
一般的软开关是指zvs开通，zcs关断，这个可以这样来看，开关管开通的时候电压由高降为0，电流本身就是从0开始升高；同样，关断时，电流由高降为0，电压本身就是0开始升高。
当然，也有zcs开通，zvs关断这样的说法。
交叠时间变长，又不影响电压幅值和电流幅值，所以说这个时间变长了，是会降低效率的。
加20nf的电容，应该有其他方面的考虑。 mos容性开通损耗大；本身的关断速度很快，也就是关断时的交叠时间短，关断损耗本身就小。这都是与早期功率晶体管比较得来的。 yfwuh 发表于 2014-7-10 23:06
一般的软开关是指zvs开通，zcs关断，这个可以这样来看，开关管开通的时候电压由高降为0，电流本身就是从0 ...
感觉没说到点上啊{:lol:} gzhuli 发表于 2014-7-10 00:10
没影响的啊，你觉得会有什么影响呢？
今天看见了相关描述，发上来看看：
功耗很小哈。 关注下准谐振的反激变换器 MARK一下
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