无刷电调 关于自举电容
我用的IR的片子 采用的调制方式 上桥调制,下桥恒通,下图为栅极驱动信号对地的波形后来 我在上桥PWM 关断期间 导通相应的下桥 给自举电容充电,此时栅极驱动信号为
在PWM 关断期间给自举电容充电,很有必要吗?后来我在占空比比较大的情况下 测试,在第一种条件下即PWM 关断期间不给自举电容充电了 也没出现自举不足的情况。或者这两幅图的栅极驱动信号 对MOSFET有什么不同的影响吗 求解释 上桥存在明显拖尾现象,很容易产生共通的,检查一下电路吧 本帖最后由 害人虫 于 2012-9-3 21:57 编辑
cai_mouse 发表于 2012-9-3 21:42 static/image/common/back.gif
上桥存在明显拖尾现象,很容易产生共通的,检查一下电路吧
我的栅源电阻 没焊接, 请问兄台这个拖尾现象对 MOSFET 有什么影响啊,怎么会产生共通呀第一幅图我没有充电。第二幅图我充电了 但是 拖尾也没了呀不是说MOS关断的时候 慢点造成的 dVDS/dt小吗 请指教 自举电容的容量是不能太大的
拖尾严重会导致mos管关断损耗加大的 cai_mouse 发表于 2012-9-3 22:19 static/image/common/back.gif
自举电容的容量是不能太大的
我是10uf的钽电容,以前也试过0.1uf 其实我在PWM期间 不充电也没看见自举不足即便是大占空比 cai_mouse 发表于 2012-9-3 22:20 static/image/common/back.gif
拖尾严重会导致mos管关断损耗加大的
但是 我看坛子里的帖子 有人说 为了避免 关断过快 所以加了栅极电阻 在关断的时候让输入电容放电放的慢点, 以前我一直以为导通关断 沿陡峭 损耗下 越抖越好,可是 要抑制过大的dV/d t 关断还是慢点好很矛盾 栅极电阻是为了防止栅极信号过冲(为了保证栅极尽量的阻性)。关断是应该越快越好,因此很多场合会使用一个二极管短路掉这个栅极电阻。如果害怕瞬时电流过大,那么可以在二极管后面串连一个小电阻限流。
另外同步整流不是为了给mosfet充电,这个我已经跟你说过N多次了。那个是为了降低续流阶段mosfet上的功耗,提高逆变桥的容量。就算你不使用同步整流,在PWM的关断期间,电容依然可以充电。
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