害人虫 发表于 2012-9-3 21:33:32

无刷电调 关于自举电容

我用的IR的片子 采用的调制方式 上桥调制，下桥恒通，下图为栅极驱动信号对地的波形


后来 我在上桥PWM 关断期间 导通相应的下桥 给自举电容充电，此时栅极驱动信号为


在PWM 关断期间给自举电容充电，很有必要吗？后来我在占空比比较大的情况下 测试，在第一种条件下即PWM 关断期间不给自举电容充电了 也没出现自举不足的情况。或者这两幅图的栅极驱动信号 对MOSFET有什么不同的影响吗 求解释

cai_mouse 发表于 2012-9-3 21:42:10

上桥存在明显拖尾现象，很容易产生共通的，检查一下电路吧

害人虫 发表于 2012-9-3 21:54:45

本帖最后由 害人虫 于 2012-9-3 21:57 编辑

cai_mouse 发表于 2012-9-3 21:42 static/image/common/back.gif
上桥存在明显拖尾现象，很容易产生共通的，检查一下电路吧

我的栅源电阻 没焊接， 请问兄台这个拖尾现象对 MOSFET 有什么影响啊，怎么会产生共通呀第一幅图我没有充电。第二幅图我充电了 但是 拖尾也没了呀不是说MOS关断的时候 慢点造成的 dVDS/dt小吗 请指教

cai_mouse 发表于 2012-9-3 22:19:34

自举电容的容量是不能太大的

cai_mouse 发表于 2012-9-3 22:20:43

拖尾严重会导致mos管关断损耗加大的

害人虫 发表于 2012-9-3 22:22:37

cai_mouse 发表于 2012-9-3 22:19 static/image/common/back.gif
自举电容的容量是不能太大的

我是10uf的钽电容，以前也试过0.1uf   其实我在PWM期间 不充电也没看见自举不足即便是大占空比

害人虫 发表于 2012-9-3 22:26:31

cai_mouse 发表于 2012-9-3 22:20 static/image/common/back.gif
拖尾严重会导致mos管关断损耗加大的

但是 我看坛子里的帖子 有人说 为了避免 关断过快 所以加了栅极电阻 在关断的时候让输入电容放电放的慢点， 以前我一直以为导通关断 沿陡峭 损耗下 越抖越好，可是 要抑制过大的dV/d t   关断还是慢点好很矛盾

tiancaigao7 发表于 2012-9-4 06:44:40

栅极电阻是为了防止栅极信号过冲（为了保证栅极尽量的阻性）。关断是应该越快越好，因此很多场合会使用一个二极管短路掉这个栅极电阻。如果害怕瞬时电流过大，那么可以在二极管后面串连一个小电阻限流。
另外同步整流不是为了给mosfet充电，这个我已经跟你说过N多次了。那个是为了降低续流阶段mosfet上的功耗，提高逆变桥的容量。就算你不使用同步整流，在PWM的关断期间，电容依然可以充电。
页: [1]
查看完整版本: 无刷电调 关于自举电容