请教单相可控硅过零控制
看了论坛上面很多关于过零检测的帖子，我也发一个！如下图所示控制单相可控硅有一点小小的疑惑
单相可控硅在正半周时有2个过零点，电压由负变为正时，为第一个过零点，电压由正变为负时，为第二个过零点，
如果在第一个过零点那里，单片机控制单相可控硅导通，在第二个过零点，单相可控硅自动截至
，G端的控制信号撤销。
若U2B不用，只采用半波的过零点，就会出现问题，在第二点过零点那里，此时单片机控制单相可控硅导通，但是电压为负半周，可控硅是没有输出的
有控制单相可控硅的朋友帮忙解释一下！谢谢！
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