mosfet驱动问题,管子发热严重
本帖最后由 ARMVSAVR 于 2012-7-3 23:32 编辑用单片机的PWM驱动MOSFET,空载的时候没有问题,可以通过PWM占空比调节电压,但是接上负载,大概1A的样子,管子发热严重,大概几分钟,就没有输出了,TO-220封装,加了散热片!
PWM的频率约为40KHZ的样子,管子的型号为IR9630,图片上的型号是国产货!我用了原装的MOSFET,发热依然存在!电路图如下,大家帮我分析一下,谢谢
不到专用的驱动芯片怎么样,比如IR2103,藐视IR2103只能驱动N型MOSFET! 最新情况汇报:
去掉电容 C11,C12,30V的输出电压,工作20分钟,发热基本可以接受!
明天测试1.5A的电流,看看发热怎么样!
谢谢各位的关心与指导!希望大家继续帮我改进!
PS:IR2103这个驱动芯片能不能驱动P-MOSFET,大家能否推荐几款P—MOSFET的驱动芯片, 图片上传了2次,也不知道怎么删掉!各位电工帮帮忙,! 36V的PMOS驱动稍微复杂点,不过元件虽多,成本并不高:
{:handshake:} gzhuli 发表于 2012-7-4 00:49 static/image/common/back.gif
36V的PMOS驱动稍微复杂点,不过元件虽多,成本并不高:
zhe dian lu ce shi tongguo l ma GS的0.1u电容太大 mored 发表于 2012-7-4 09:17 static/image/common/back.gif
GS的0.1u电容太大
{:handshake:} {:sad:} ARMVSAVR 发表于 2012-7-4 09:16 static/image/common/back.gif
zhe dian lu ce shi tongguo l ma
飞利浦的UcD数字功放就是用这种驱动方式的,开关频率400kHz。
仿真波形都在那了,行不行自己琢磨吧。 gzhuli 发表于 2012-7-4 11:05 static/image/common/back.gif
飞利浦的UcD数字功放就是用这种驱动方式的,开关频率400kHz。
仿真波形都在那了,行不行自己琢磨吧。 ...
THANKS 没有储能元件,用开关方式有意义么? 如果不要求缓慢启动你把C12去了吧,频率太高,低电平期间C12就会放电,mos管也会有个慢慢关闭的过程会进入线性区的;
MOS的结电容本来就是个头疼的参数,lz还给并联0.1uF.. 1k电阻单用都会导致边沿不陡峭 这电路只能用于开关不能用于PWM的 albert_w 发表于 2012-7-4 13:52 static/image/common/back.gif
MOS的结电容本来就是个头疼的参数,lz还给并联0.1uF.. 1k电阻单用都会导致边沿不陡峭 ...
最莫名其妙的是C11…… 再给R9并联个电容就圆满了 C11看不懂。。。 C11加的没有意义啊,楼主PWM输出,交流分析电容短路,电源为地,你的单片机IO口起步很容易坏啊?或许到达基极的电流根本就很少了,楼主把这两个电容都去掉试试;
gzhuli大侠的图中ss14有什么作用啊?防止进入饱和的??? 呵呵,应该是防止进入饱和的,开关速度更快些; jade1988 发表于 2012-7-4 14:34 static/image/common/back.gif
呵呵,应该是防止进入饱和的,开关速度更快些;
嗯,就是防止饱和,40k可以不加,数百k不加会严重影响占空比。 jade1988 发表于 2012-7-4 14:28 static/image/common/back.gif
C11加的没有意义啊,楼主PWM输出,交流分析电容短路,电源为地,你的单片机IO口起步很容易坏啊?或许到达基 ...
THANKS{:handshake:} gzhuli 发表于 2012-7-4 15:00 static/image/common/back.gif
嗯,就是防止饱和,40k可以不加,数百k不加会严重影响占空比。
DA XIA jade1988 发表于 2012-7-4 14:34 static/image/common/back.gif
呵呵,应该是防止进入饱和的,开关速度更快些;
请教,SS14如何防止进入饱和的。看不明白,请多多指点。 gzhuli 发表于 2012-7-4 00:49 static/image/common/back.gif
36V的PMOS驱动稍微复杂点,不过元件虽多,成本并不高:
谢谢大家的帮助,电容C12已经去掉了,C11也去掉,依然发热严重,不带负载,没
有任何问题,一旦负载电流约为1A的样子,散热片就像个电烤炉,很火!晚上回家测
试GZHULL大侠的电路! IRF9630的Rds=0.8R,
而且LZ的电路PMOS管导通时间以及截止时间长,MOS管消耗的功率大,会发热 xk6450094 发表于 2012-7-4 15:09 static/image/common/back.gif
请教,SS14如何防止进入饱和的。看不明白,请多多指点。
http://baike.baidu.com/view/2772964.htm gzhuli 发表于 2012-7-4 15:28 static/image/common/back.gif
http://baike.baidu.com/view/2772964.htm
谢谢.{:smile:} xk6450094 发表于 2012-7-4 15:09 static/image/common/back.gif
请教,SS14如何防止进入饱和的。看不明白,请多多指点。
肖特基三极管没听说过么? 那LSTTL呢? 我不明白你这电路有什么优点.
MOS开关ON状态瞬间电流是多少? (VIN-VOUT)/RDS? 平均电流是多少? ILOAD? 那它的功耗是不是 (VIN-VOUT) * ILOAD? 那它凭什么不发热? 如果要不发热,那必须有储能元件----电感. 接成降压转换电路,发热就会少很多---如果负载电流只有1A,MOS管基本不会有明显温升. {:victory:} {:lol:} 樓主您閑得很,連同21ic很多人已經幫你了。仔細去了解BUCK降壓。 本帖最后由 ARMVSAVR 于 2012-7-5 13:01 编辑
yeutay 发表于 2012-7-5 09:56 static/image/common/back.gif
樓主您閑得很,連同21ic很多人已經幫你了。 仔細去了解BUCK降壓。
{:biggrin:} gzhuli 发表于 2012-7-4 11:05
飞利浦的UcD数字功放就是用这种驱动方式的,开关频率400kHz。
仿真波形都在那了,行不行自己琢磨吧。 ...
请问用什么软件仿真的呢?谢谢!请教一个问题,我用英飞凌的BSP123,N沟道MOSFET,将2,4脚漏极接在一起芯片发热,请问知道是什么原因吗? 会思考的IC 发表于 2013-12-5 15:55
请问用什么软件仿真的呢?谢谢!请教一个问题,我用英飞凌的BSP123,N沟道MOSFET,将2,4脚漏极接在一起芯 ...
Proteus.
什么叫2,4脚接在一起发热,2,4脚本来就是通的。 gzhuli 发表于 2013-12-5 16:07
Proteus.
什么叫2,4脚接在一起发热,2,4脚本来就是通的。
是这样子,我在布线时把2,4脚连在一起了,上电后,芯片很热,下面的PCB板也是热的。 会思考的IC 发表于 2013-12-5 16:56
是这样子,我在布线时把2,4脚连在一起了,上电后,芯片很热,下面的PCB板也是热的。 ...
那你仔细检查电路吧,SOT223封装中间脚和散热片一般都是通的。 好,谢谢!
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