automaticdai 发表于 2012-6-6 11:28:51

请教外部芯片电源控制的典型电路

情况是这样的，在一个项目中，我需要系统在待机模式下有一个极低的功耗。虽然系统中有一些芯片本身支持待机模式，但电流损耗还是较大。
现在我希望通过专用芯片或mos管直接控制其供电电源，达到低功耗的目的。
我想请教一下，有哪些可靠、稳定的典型电路或者控制芯片能达到我的要求，成本尽量低一些。由于我在系统中用到SIM模块，该模块电流较大，所以希望这个电路至少能通过2A的电流，并且这个电路本身不要有太大的电流损耗。

automaticdai 发表于 2012-6-6 11:31:52

谢谢大家

hailing 发表于 2012-6-6 12:38:50

这个系统的供电有没有使用电源芯片降压后供电？要是电源芯片降压后对后端系统供电的话，使用带EN控制脚的电源芯片，现在新出来的芯片EN关后电源芯片静态损耗都《1uA。

automaticdai 发表于 2012-6-6 13:11:32

hailing 发表于 2012-6-6 12:38 static/image/common/back.gif
这个系统的供电有没有使用电源芯片降压后供电？要是电源芯片降压后对后端系统供电的话，使用带EN控制脚的电 ...

是这样的，我们的系统中有很多芯片需要独立控制，如果都采用独立电源的话成本会比较高，现在想通过专用的通断芯片或者Mos管控制。

NemoGu 发表于 2012-6-6 13:30:44

先区分出电路中的用电大户 然后这些有独立的MOS管控制 (待机时直接断电) 其余的统一控制（Shutdown）

llssr 发表于 2012-6-6 13:38:36

FDS4435AO4435PMOS关短就可以吧

hailing 发表于 2012-6-6 21:45:51

专用的通断芯片没看到过，要做到uA级别的功耗，用芯片实现通断本身芯片也有功耗。使用PMOS是比较好的选择。电源---S--------------D-------后端
                                                                                                                                                            -上拉电阻-g
                                                                                                                                                                         NPN--------IO控制/高电平有效
之前使用过FDN304，SOT-23封装，大约5毛。2.4A,-20V

automaticdai 发表于 2012-6-7 08:42:14

NemoGu 发表于 2012-6-6 13:30 static/image/common/back.gif
先区分出电路中的用电大户 然后这些有独立的MOS管控制 (待机时直接断电) 其余的统一控制（Shutdown） ...

谢谢您的意见，将功率稍大的电路独立出来，是出于Mos管电流容限的考虑么？

automaticdai 发表于 2012-6-7 08:55:52

hailing 发表于 2012-6-6 21:45 static/image/common/back.gif
专用的通断芯片没看到过，要做到uA级别的功耗，用芯片实现通断本身芯片也有功耗。使用PMOS是比较好的选择。 ...

这个芯片的GS电压要求很大，如果系统电压只有3.3V，那GS只有-3.3V，是不是不能完全导通，影响带载能力？

NemoGu 发表于 2012-6-7 09:47:26

automaticdai 发表于 2012-6-7 08:42 static/image/common/back.gif
谢谢您的意见，将功率稍大的电路独立出来，是出于Mos管电流容限的考虑么？ ...

可否考虑直接用电源开关之类的芯片呢
如果成本有要求 那就要找MOS管 不过电流容限大的 关断电流可能会有所偏大 折中取舍吧

Arrowzhang 发表于 2012-6-7 10:48:46

automaticdai 发表于 2012-6-7 08:55 static/image/common/back.gif
这个芯片的GS电压要求很大，如果系统电压只有3.3V，那GS只有-3.3V，是不是不能完全导通，影响带载能力？ ...

可以找些VGS小的呀，比如手机电池里的那种

automaticdai 发表于 2012-6-7 14:56:31

刚才简单做了一个实验，用了一个P沟道Mos管控制芯片电源输入。
带负载约100mA时可正常开关，但上电时有大约1V的脉冲。
如何设计电路，缓解上电尖峰？

hailing 发表于 2012-6-7 16:30:18

我没写清楚，-20V指的是VDS, VGS为最小为-1.8V。
带负载约100mA时可正常开关，但上电时有大约1V的脉冲。
------脉冲？还是过冲？最好上个示意图。一般开关管后面有电容，打开开关的时候不会产生上电尖峰。通过上拉电阻保证在前端系统上电的情况下，IO没动作前开关不会被误触发。

WillFeng 发表于 2012-6-7 17:08:08

AO3415，4A，很不错。

automaticdai 发表于 2012-6-7 17:55:21

hailing 发表于 2012-6-7 16:30 static/image/common/back.gif
我没写清楚，-20V指的是VDS, VGS为最小为-1.8V。
带负载约100mA时可正常开关，但上电时有大约1V的脉冲。
-- ...

应该是过冲吧，如图：

hailing 发表于 2012-6-8 12:03:34

pmos关断电路后端的电容是多少？另外你是直接使用IO串电阻控制PMOS的G吗？

automaticdai 发表于 2012-6-8 13:28:58

hailing 发表于 2012-6-8 12:03 static/image/common/back.gif
pmos关断电路后端的电容是多少？另外你是直接使用IO串电阻控制PMOS的G吗？

没有后端电容。
还没加三极管，是IO直接驱动的，有一个上拉电阻。

hailing 发表于 2012-6-8 14:09:40

建议后面加个10--100uF的电容，IO串电阻驱动G，串的电阻和上拉电阻组成分压电路后还能可靠驱动PMOS为准。
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