MOSFET并联如何均流?
4个MOSFET并联，通过可调电阻控制GS电压，从而控制负载R1的电流，1-15A可调，精度0。1A，R2为采样电阻。实验的结果是上电10多秒后，只有一个MOSFET导通并且迅速发热，其他的MOSFET温度和室温一样！
然后只用一个，并用CPU散热器进行散热，调到10A左右就死翘翘了，三个引脚相互导通。
不知道这样的方法对不对，有什么改进和注意的地方?
本帖最后由 eblc1388 于 2012-6-1 00:26 编辑
由於MOSFET特性每一枚都有小许差别，并联时必须在每一个MOSFET源极串入电阻，从而控制电流平均分配。
通常这电阻在满载时提供0.2V~0.8V便可，在你的应用中电流是大约4安培，所以每个MOSFET串入0.4V/4A=0.1欧，2W电阻到地电位即可。
采样电阻就可直接用利其中一个0.1欧电阻来达到，电路中的 50m欧 就不用接了。
VGS的电压不够吧，我看你用12V分压后供电。Vgs应该保持在10V以上才能保证内阻最低，因此你考虑一下将12V直接功过电阻接到栅极看看效果 可参考CC模式下的电子负载原理设计 tiancaigao7 发表于 2012-6-1 07:37 static/image/common/back.gif
VGS的电压不够吧，我看你用12V分压后供电。Vgs应该保持在10V以上才能保证内阻最低，因此你考虑一下将12V直 ...
不是要保持内阻最低，而是改变内阻控制电流大小 llssr 发表于 2012-6-1 08:18 static/image/common/back.gif
可参考CC模式下的电子负载原理设计
好的，百度一下 楼主这种静态应用，基本不用特意均流，各管子的连线面积足够，做好散热就行了，
或者换用单只大电流的管子 eblc1388 发表于 2012-6-1 00:23 static/image/common/back.gif
由於MOSFET特性每一枚都有小许差别，并联时必须在每一个MOSFET源极串入电阻，从而控制电流平均分配。
通常 ...
谢谢，试试看 MOSFET自动均流，哈哈 linred 发表于 2012-6-1 09:14 static/image/common/back.gif
不是要保持内阻最低，而是改变内阻控制电流大小
你要控制电流大小，不能这样做，你可以通过PWM信号来实现电流的控制，但是要保证mosfet导通就万全道通，否则就彻底关闭，不要想着类似三极管那样去用mosfet。 不需要，MOS管特性是，电流增大——>温度上升——>电流减小——>温度降低——>电流增大，如此往复。天生就有均流的功能。 tiancaigao7 发表于 2012-6-1 09:18 static/image/common/back.gif
你要控制电流大小，不能这样做，你可以通过PWM信号来实现电流的控制，但是要保证mosfet导通就万全道通， ...
控制MOSFET通断？这样不是恒流了吧，而且对电池有损害 线性使用, 在源极串电阻.....或者几个管子严格匹配 其实就算源串电阻还是要匹配才好. lengshuicha 发表于 2012-6-1 09:20 static/image/common/back.gif
不需要，MOS管特性是，电流增大——>温度上升——>电流减小——>温度降低——>电流增大，如此往复。天生就 ...
不是吧，温度越高，电流越大，现在没有加反馈。不过提醒我了，加反馈看看 lengshuicha 发表于 2012-6-1 09:20 static/image/common/back.gif
不需要，MOS管特性是，电流增大——>温度上升——>电流减小——>温度降低——>电流增大，如此往复。天生就 ...
严格匹配的几个管子才有可能这样. 参数差的大的有可能这个严重发热那个还没导通. lengshuicha 发表于 2012-6-1 09:20 static/image/common/back.gif
不需要，MOS管特性是，电流增大——>温度上升——>电流减小——>温度降低——>电流增大，如此往复。天生就 ...
你说的是开关状态吧， 楼主的应用是线性状态
串电阻可行 楼主这样用电流纹波能小点，工作在开关状态纹波可能较大；
我觉得Vgs控制时从小到大变化，变化不要太快，即使参数差的大，也不会出现一个导通一个还没通的情况；
楼主的管子工作在线性又不是完全导通，电阻要是差异大，串个那么小的电阻能起什么均流作用？ 散热要做好
你这个这么大功率为何要这样做呢？多浪费电啊；
一般这么大的恒流源都用开关式的吧，0.1A精度也不小啊；{:dizzy:} jade1988 发表于 2012-6-1 14:48 static/image/common/back.gif
散热要做好
你这个这么大功率为何要这样做呢？多浪费电啊；
目的就是浪费蓄电池的电了，哈哈，
开关式的对蓄电池有损害吗，
今天做实验了，8A的情况下，200多W啊，再上去就死翘翘了，
死一次20块不见了 linred 发表于 2012-6-1 15:31 static/image/common/back.gif
目的就是浪费蓄电池的电了，哈哈，
开关式的对蓄电池有损害吗，
今天做实验了，8A的情况下，200多W啊，再 ...
当然没有危害，充电器很多都是开关模式的，不过考虑到你要恒流的问题，那就需要加一个电容和电感 网站的春风数控电源内有MOSFET的经典应用。 用开关式吧，电感续流，用大点的电感，MOS的开关频率搞高点 bigallium 发表于 2012-6-1 18:20 static/image/common/back.gif
用开关式吧，电感续流，用大点的电感，MOS的开关频率搞高点
现在考虑这样的方案了，
折腾啊， huangiggw 发表于 2012-6-1 18:12 static/image/common/back.gif
网站的春风数控电源内有MOSFET的经典应用。
是的，不过电流大了散热是很大问题， 应该是烧坏的吧，MOS本身有自动均流特性，线性应用也不会差太多吧。估计散热不够，线性应用情况下，散热是个大问题。 栅极电阻保留甚至加大,在源极多串电阻以驱动NPN三极管对FET作限流。 ncigray 发表于 2012-6-1 18:48 static/image/common/back.gif
应该是烧坏的吧，MOS本身有自动均流特性，线性应用也不会差太多吧。估计散热不够，线性应用情况下，散热是 ...
150W左右吧 吾认为如果是对电池进行检验，可以把放电与充电结合起来,即A电池放出的电略为升压后对B电池充电。这在多节电池时非常有意义。 大电流的MOS管确实不好处理，很容易烧 本帖最后由 sz2009 于 2012-6-5 13:10 编辑
lengshuicha 发表于 2012-6-1 09:20 static/image/common/back.gif
不需要，MOS管特性是，电流增大——>温度上升——>电流减小——>温度降低——>电流增大，如此往复。天生就 ...
你解释一些楼主所做的测试现象时怎么回事？为什么不均流？，
这是在线性工作状态， 不是在开关状态 带高手详解 减小栅极电阻，以减小各管开通时间的差异 为什么不用IGBT? 电磁里的那种一个10块钱,可以过15-20A的电流. 好像是25N120,标称25A,1200V赖压 学习一下！ 本帖最后由 BOBOD3610 于 2012-7-1 04:18 编辑
MOS 还需要均流？ 闻所未闻 把100欧电阻去了， 另外每个MOS 的开启电压或许有少许差别，这样，同样的Vgs下，每个MOS的导通电阻或许相差很大，而你正是让MOS工作在线性状态而不是开关模式，这里不适合并联使用 建议DC/DC 恒流
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