leecny2012 发表于 2012-5-25 20:57:08

请问往flash里写数据，不擦除，然后不停的写0xff

这样写flash可以写多少次？

xivisi 发表于 2012-5-25 21:06:12

理论上 无限次，flash初始化所有位为1，写1进去无作用

cddyy 发表于 2012-5-25 21:15:35

FLASH只能由1独立变成0，如果需要从0变成1，须擦除，那就是一片数据区全部变成1，当是1的时候，写1完全无作用。

marshallemon 发表于 2012-5-25 21:17:50

擦除才会变成1

leecny2012 发表于 2012-5-25 21:18:54

我就是想知道写0xff会不会导致flash损坏。因为我每次只写一个字节，而一次就要必须写256或512个字节，所以我就把不要写数据的字节写0xff，这样就不会改写flash中的数据。但是这样，写512个字节就要对某512个字节写512次，这样是否会影响寿命。

蜂巢 发表于 2012-5-25 21:49:23

flash在擦除时会变为1.写入数据时才会变为0.所以只写0xff不会减寿命的。

leecny2012 发表于 2012-6-2 18:31:21

如果有数据，我往里写0xff会不会更改该数据？

malsvent 发表于 2012-6-2 18:44:32

0xff无写入动作
直接跳过该位置

leecny2012 发表于 2012-6-2 18:56:25

我现在做的这个居然把flash里的0写成了1，你说怪不怪

leecny2012 发表于 2012-6-2 18:56:47

我用的是lpc1768芯片里的flash

leecny2012 发表于 2012-6-2 19:07:10

谁说不能把0写成1，往里丢的是0xff，真把1写进去了

leecny2012 发表于 2012-6-2 19:11:28

22275

leecny2012 发表于 2012-6-2 19:12:10

PT100测量电路连接错了。

leecny2012 发表于 2012-6-2 19:12:53

大家注意那个0706变成了0746,我往那个06里写的可是FF啊，怎么会多个4出来呢？

jathenal 发表于 2012-6-2 19:29:29

为避免概念混淆，对Flash的操作不妨定义为擦除、编程
如前面各位所说，擦除是0变1的过程，编程是1变0的过程，单独执行哪个都不会影响flash寿命，经历一个擦写循环才会影响寿命
如果lz说的写是指编程，则结果是写入的数据和原数据取与，写0xff不会改变原值
如果这个写是“擦写”，即擦除+编程的组合，则最后结果就是要写入的数据
对于lz说的IAP应用，可以检查一下所调用的ROM API到底是何种操作
一般情况下都是擦除后再编程，特殊应用下才会对相同区域进行不对称的擦除和编程

leecny2012 发表于 2012-6-2 21:45:30

我已经说了，是在没有擦除的情况下，对一个已有数据的字节比如"06"这个字节写了ff，它确实修改了该字节为46，有图为证，是单步运行的结果。

twitter 发表于 2012-6-2 21:57:09

本帖最后由 twitter 于 2012-6-2 21:58 编辑

jathenal 发表于 2012-6-2 19:29 static/image/common/back.gif
为避免概念混淆，对Flash的操作不妨定义为擦除、编程
如前面各位所说，擦除是0变1的过程，编程是1变0的过程 ...

LPC的ARM，IAP功能擦除和编程是分成2个操作的，好像没有合并这2步的IAP功能的。而且楼主显然没有用擦除就直接编程0xFF了。
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