发一个刚在STC12C5608AD上调通的ds18b20的程序，晶振22.1184M
首先声明程序是照搬论坛上的，但是就是调不通，我用逻辑分析仪看了波形后，原来的延时函数时间差得非常远。重新改了延时函数，才可以复位成功。然后读操作，写操作都用逻辑分析仪看了没有问题了，还是不能成功读出温度值来。
最后仔细看了时序，才发现就是因为复位后马上紧跟的写操作太早了，导致写的前几个位没有成功写入。加了延时后读出成功！
下面是代码
//*******晶振为22.1184M***************************************************************************
static
void delay_2us(void)
{
char i;
for(i=10;i>0;i--);
}
static
void delay_15us(char times )
{
char i;
for(;times>0;times--)
for(i=70;i>0;i--);
}
//**********************************************************************************
//初始化DS18B20
//让DS18B20一段相对长时间低电平, 然后一段相对非常短时间高电平, 即可启动
//static
bit DS18B20_reset(void)
{
bit x;
DQ = 1; //DQ复位
delay_15us (3); //稍做延时
DQ = 0; //单片机将DQ拉低
delay_15us(33); //精确延时 大于 480us
DQ = 1; //拉高总线
delay_15us(5); //等待大于60us
x = DQ; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败
return x;
}
//读一个字节
//static
unsigned char DS18B20_read(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for (i=0;i<8;i++)
{
DQ = 0; //低电平 开始时间片
delay_2us();
DQ = 1; //高电平
delay_15us(1);
delay_2us();
delay_2us();
dat>>=1;
DQ = 1; //高电平 DS18B20开始输出
if(DQ)
{
dat |= 0x80; //如果是高电平就在最高位写入1，低电平则保留原来的0
}
delay_15us(1); //延时30us
}
return(dat);
}
//写一个字节
//static
void DS18B20_write(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=8; i>0; i--)
{
DQ = 0;
delay_15us(1);
DQ = dat&0x01;
delay_15us(4);
DQ = 1;
dat>>=1;
_nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_();
_nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_();
}
}
//static
void DS18B20_convert( void )
{
DS18B20_reset();
delay_15us(20); //*********这里一定要加延时**************
DS18B20_write(0xCC); // 跳过读序号列号的操作
DS18B20_write(0x44); // 启动温度转换
}
//读取温度
unsigned int get_temperature(void)
{
unsigned char tempL=0;
unsigned char tempH=0;
unsigned int t=0;
DS18B20_convert();
DS18B20_reset();
delay_15us(20); //*********这里一定要加延时**************
DS18B20_write(0xCC); //跳过读序号列号的操作
DS18B20_write(0xBE); //读取温度寄存器等（共可读9个寄存器） 前两个就是温度
tempL=DS18B20_read();
tempH=DS18B20_read();
t = (tempH*256 + tempL)*0.625+0.5;
return(t);
}
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