请教mosfet压降问题
我按照这样的接法， 50n06的压降竟然5v多，按照手册，门极电压10v符合要求了，这是什么原因。 这里应该用PMOS。 gzhuli 发表于 2012-4-4 10:24 static/image/common/back.gif
这里应该用PMOS。
你好，能讲一下原因么 楼主你这电路应该用PMOS管,但你用了NMOS管. 门级电压量错了吧，同ls，该pmos dragon_hn 发表于 2012-4-4 10:31 static/image/common/back.gif
楼主你这电路应该用PMOS管,但你用了NMOS管.
你好，如果用NMOS该怎么接。我刚接触。 Flyback 发表于 2012-4-4 10:32 static/image/common/back.gif
门级电压量错了吧，同ls，该pmos
门极电压10v多一点，能简单说一下用nmos的电路么，谢谢 NMOS你就要找个27V电压来驱动栅极。 P mos也是这么接啊 只不过是PWM1是高电平的时候 管就导通 .跟你现在的相反而已. gzhuli 发表于 2012-4-4 10:36 static/image/common/back.gif
NMOS你就要找个27V电压来驱动栅极。
那有什么驱动芯片可以驱动么，谢谢 liyang0727 发表于 2012-4-4 10:40 static/image/common/back.gif
那有什么驱动芯片可以驱动么，谢谢
都说了换PMOS就可以了，难道你还真的打算找个boost芯片把17V升压到27V来驱动这个NMOS？ 好的，学习了，谢谢几位大侠指导 liyang0727 发表于 2012-4-4 10:31 static/image/common/back.gif
你好，能讲一下原因么
你还是去看看MOSFET的基础知识吧，这么半桶水做事是不行的。
你这个电路完全就是错的。
首先MOSFET是由G对S的电压来控制的，NMOS是G对S加正电压导通，PMOS是G对S加负电压导通。
你用NMOS，D接17V，G经过一个LED拉到15V左右，假设一开始S极电压为0，那么VGS=15V，管子开始导通。管子一开始导通，S极电压就上升，VGS就开始减少，当VGS减少到接近Vth（约4.5V）时，管子就处于饱和区（和BJT不同，MOSFET的饱和区相当于BJT的放大区），这时候VGS就维持在一定的压降，相当于BJT的射随器。
换PMOS的话，S接17V，此时NPN导通VGS就是接近-17V（VS = 17V / VG = 0.3V，所以VG - VS为负压），此时MOSFET工作于线性区（相当于BJT的饱和区），达到低阻开关的目的。 gzhuli 发表于 2012-4-4 11:11 static/image/common/back.gif
你还是去看看MOSFET的基础知识吧，这么半桶水做事是不行的。
你这个电路完全就是错的。
首先MOSFET是由G ...
恩，我看懂了，谢谢你。 gzhuli 发表于 2012-4-4 11:11 static/image/common/back.gif
你还是去看看MOSFET的基础知识吧，这么半桶水做事是不行的。
你这个电路完全就是错的。
首先MOSFET是由G ...
gzhuli很有耐心，解释到位 gzhuli 发表于 2012-4-4 11:11 static/image/common/back.gif
你还是去看看MOSFET的基础知识吧，这么半桶水做事是不行的。
你这个电路完全就是错的。
首先MOSFET是由G ...
很耐心哦 UGS>UGSTH就可导通，网上百度下就可了 gzhuli 发表于 2012-4-4 11:11
你还是去看看MOSFET的基础知识吧，这么半桶水做事是不行的。
你这个电路完全就是错的。
首先MOSFET是由G ...
很耐心哦
现在很少人会这样哦！！！ 知道电路有问题，不会解释，事实上是自己理解的还不够，感谢gzhuli 这里还是有很多热心的高手
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