SDRAM-------另一些疑问。 自刷新
自刷新中，大多数芯片本身有个自刷新计数器，如果载入自刷新命令后，到底是芯片本身在自己刷新，还是需要外部计数器来刷新芯片？看到大多数还是有外部计数器的，那这个自刷新的自体现在什么地方？
ckecsrascas we
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self refresh exit0 1/0 x/1x/1 x/1 消灭0回复 消灭1回复··· 回复你的第二个帖子了，楼主要赞我^_^
刷新分为两种：
1.自己自动刷新。芯片自己进行，用户不用管。
2.用户自动刷新。用户每隔一定时间就发送个Auto Refresh命令给Sdram，然后不用管了；具体内部刷新操作由Sdram负责。
所以：
1.自刷新：间隔时间和内部充电都是有Sdram完成。
2.自动刷新：间隔时间由用户负责，内部充电由Sdram负责。
我想你应该明白了吧 SR 主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存,你自己不需要做任何操作；
AR 如楼上所述，只需要在规定的时间（需要自己计算时间）发一个刷新的命令，内部会自己完成。 请问在SDRAM内部刷新的时候还可以进行数据读写吗? 回复【5楼】huatong
请问在sdram内部刷新的时候还可以进行数据读写吗?
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不可以，不仅仅是在你说的内部刷新（Self Refresh），即使是在用户控制的自动刷新（Auto Refresh）的情况下都不能进行任何读写操作 刷新操作本身就是把存储单元的数据读出来再写回去，只是不过对外端口而已。因此刷新时不可读写，读写单元被占用。
同理，如果保证有用的数据在64ms内会被更新，不刷新都行。DRAM就是个具有短时记忆能力的存储器。 就是由于刷新的时候不能读写，才降低了其读写的速度，比SRAM慢了 如果sdram不停的在全页读写，每次全页读写都有自动预充电。按照读写时间来算，是不是可以不用刷新了（自刷新或者自动刷新）？{:smile:} xiaoluo8805 发表于 2012-5-30 15:16 static/image/common/back.gif
如果sdram不停的在全页读写，每次全页读写都有自动预充电。按照读写时间来算，是不是可以不用刷新了（自刷 ...
是的,你保证想要的数据一直在更新,比如做显卡,那可以把自动刷新时间省了,整页突发能提高一点带宽,不多 小科普一下，刷新计数器是为了保证页和DMA突发操作时，所有页仍然能够在规定时间内全部刷新一遍设定的，一般这个计数器计到1，RAM一空闲控制器就会跳到自动刷新，同时将刷新计数器减1。当计数器将溢出时（可以设定为半满），内存控制器就应该强制中断当前传输，转而连续N个自刷新操作，之后再恢复之前的操作。即每t个周期计数器会自动加1，每刷新一次计数器减1。 学习了，有帮助 由于解决了我当前的困惑，挖坟顶贴~
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