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sl3340 发表于 2012-1-31 15:40:40

SDRAM————的一些疑问————写回周期 和 自动预充电的冲突？

写SDRAM后，Data-in to precharge command tDPL2 CLK
         Data-in to activcommand      tDAL5 CLK

         tRP = 3 CLK.
         我得意思是我写后经过多长时间可以释放为空闲状态？5CLK? 还是 8个 clk，如果是五个是直接 tDAL 还是是 tDPL + tRP????

sl3340 发表于 2012-1-31 15:51:38

消灭0回复？

sl3340 发表于 2012-1-31 15:52:06

消灭1回复···

Nuker 发表于 2012-1-31 16:33:17

tDPL = tWR
tDAL = tWR + tRP
所以只需要等2或者5个CLK，具体等多长时间取决于你写操作是否带Auto Precharge，以及写操作之后的下个操作是Precharge还是Active。

sl3340 发表于 2012-2-1 08:54:04

回复【3楼】Nuker
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非常感谢！！！

如果不是Auto Precharge，下一个状态是Precharge就对应2clk如果是Active就对应5clk/

如果是Auto Precharge，那就直接5clk，下一个状态是Active。对么？？？？？？？

谢谢，方便的话能否交流一下： 664365692

fishplj2000 发表于 2012-2-1 14:35:18

哇，我又来了，楼主必须超赞我。
这是回复你关于Sdram的第三个帖子了！

... Last_Write_Data | NOP | Precharge | NOP | NOP | Active ...

我想你应该第三次明白了吧^_^

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