solyp 发表于 2011-6-29 16:00:38

用STM32做电机驱动器，IR2101和H桥MOS的共地问题讨论，不知道大家有没有意识到这是个问

问题的描述很简单，在电机驱动电路设计里面，有这么几个部分
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_42/ourdev_653272BW5LD5.jpg
(原文件名:H桥共地.jpg)
控制核心STM32把PWM信号送给IR2101,再驱动MOS管。
这里面有4个地，DGND,15GND,MGND和BAT-。
之前我都混在一起，DGND,15GND,BAT-作为一个网络，PCB走线时都找最近最方便的线路走。

直到后来意识到有一个“地弹”的问题，也就是在大电流下，同一个地网络里，左边和右边的电压有可能会达到几伏的压差。
这样，在我们传统观念里面的地，绝对的0V也就不绝对了，参考地不稳定会给系统带来很多问题。于是开始思考这几个部分地网络的连接问题。

我现在的做法是将15GND与MGND连接，而且是对应连接的，让MOS管G极的信号回路最小化，有最接近的参考地。
这样一来的话，PCB上就可以看到，每个桥臂都伸出自己的MGND网络与对应的2101连接。

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_42/ourdev_653270IXZKQ6.jpg
(原文件名:2101s共地1.jpg)

而MGND通过一个磁珠与DGND相连，如绿圈中所示。
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_42/ourdev_653271X6OJA9.jpg
(原文件名:2101s共地2.jpg)

不知道这样的连接做法是否合理，欢迎大家讨论。。。。。
————————————————————

另外刚想起来，H桥上有个TVS管和大电容，我现在的做法是放在BAT+与BAT-之间。
有点犹豫，总觉得放在BAT+,MGND之间似乎更合理似的。求高人指点！不胜感谢！

ganyingjiare 发表于 2011-6-29 16:10:09

一般要隔离的

rifjft 发表于 2011-6-29 16:25:00

关键在设计PCB时注意好大电流网络的处理，让大电流的回路最短化。ＩＲ公司有几个相关的文档，有时间应该看看

如果要区别地线处理的，要注意磁珠或电感　是加在信号地与电源地之间，功率地与电源地直联。之前碰到些朋友是把磁珠、小电感加在功率地与电源地之间的……

EALASER 发表于 2011-6-30 18:29:49

回复【楼主位】solyp李
-----------------------------------------------------------------------
1. 统一地实验过么？真的不稳定么？

solyp 发表于 2011-7-4 13:33:06

走线不注意的话，会带来很大问题。。。。

solyp 发表于 2011-7-7 14:55:14

此贴就这么沉了吗？？
这个。。。。。

wellrun 发表于 2012-12-6 15:02:06

同样的疑惑

害人虫 发表于 2013-5-26 15:34:11

15GND 跟 MGND 对应 接在一起通过磁珠 共DGND那么BAT- 是怎么处理的 母线电源 和 MOS 不共地 吗bat- 上边是个取样电阻吗

害人虫 发表于 2013-5-26 15:37:18

rifjft 发表于 2011-6-29 16:25 static/image/common/back.gif
关键在设计PCB时注意好大电流网络的处理，让大电流的回路最短化。ＩＲ公司有几个相关的文档，有时间应该看 ...

要注意磁珠或电感　是加在信号地与电源地之间，功率地与电源地直联。之前碰到些朋友是把磁珠、小电感加在功率地与电源地之间的……

兄台 所说的 信号低 和电源地对应DGNDbat- 功率地15gnd对吗

lcmdw 发表于 2013-5-26 18:10:07

mark{:smile:}

gdlbh 发表于 2013-8-30 16:53:37

我来挖坟，这个是值得讨论一下的， 最近偶尔有烧驱动的现象，找了很久没找到原因，可能就是因为这个问题导致的。另外DGND和MGND用磁珠连一起，这样会不会导致电流反馈电压为负啊？

sedulity11 发表于 2013-10-9 10:42:25

这个讨论很好，应该顶起来。
IR栅极驱动IC有一些只有一个COM，逻辑与功率地在芯片内部共了起来，有些有COM和VSS，逻辑地与功率地是分开的。在低端电流采样的使用中会看到两种常见的电路:单个地的COM脚接电源地，有VSS和COM的VSS接电源地，COM接功率地。

sedulity11 发表于 2013-10-9 10:46:06

这个讨论很好，应该顶起来。
IR栅极驱动IC有一些只有一个COM，逻辑与功率地在芯片内部共了起来，有些有COM和VSS，逻辑地与功率地是分开的。在低端电流采样的使用中会看到两种常见的电路:单个地的COM脚接电源地，有VSS和COM的VSS接电源地，COM接功率地。

sedulity11 发表于 2013-10-9 10:47:11

这个讨论很好，应该顶起来。
IR栅极驱动IC有一些只有一个COM，逻辑与功率地在芯片内部共了起来，有些有COM和VSS，逻辑地与功率地是分开的。在低端电流采样的使用中会看到两种常见的电路:单个地的COM脚接电源地，有VSS和COM的VSS接电源地，COM接功率地。

skylinyk 发表于 2013-11-8 17:36:24

mark 学习了、、、

solypp 发表于 2013-11-8 18:31:51

这个帖子是我发的，我两种接法都试过，发现一般情况下，没有什么区别。但是在受到一些冲击的时候，跟强电共地的会更容易坏些，所以我们都改成了跟弱电共地。
我们分析可能因为地弹和空间干扰会导致3.3伏pwm输入时逻辑错误，但是对于15伏的输出端，不会那么容易受干扰

zqbing 发表于 2013-11-8 19:02:05

如果+bat电压不高，所有连到一起，没什么关系，但要遵循单点接地和功率地与信号地严格区分的原则。假设电压很高，驱动的功率大，则需要将控制部分的地驱动信号隔开。貌似是这样做的，求证~

xl1736 发表于 2015-8-22 17:42:01

要计算“地弹”的负值，MOS驱动保证有10V以上的余量也是够用了的。
页: [1]
查看完整版本: 用STM32做电机驱动器，IR2101和H桥MOS的共地问题讨论，不知道大家有没有意识到这是个问