试用IR2103驱动单相永磁电机，运转正常，但存在一些问题，求分析
买了一些IR2103做无刷电机，用永磁电机改装，单相的，驱动电路如下，http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_41/ourdev_649825O07Q3A.JPG
驱动部分电路 (原文件名:IR2103.JPG)
上图中mos管是IRF830,电机是50W左右的，IR2103工作电压是14V；自举电容用的是1μF的贴片电容，什么品牌的不清楚，充电二极管是用的F157（听了大家的建议），栅极电阻用58欧姆，放电二极管用4148，这些都是参照坛上大侠的建议，单片机开通流程是这样：H1、H2置低电平，L1、L2置高电平，然后L2置低电平开通右下管，再送PWM到左上管H1;用霍尔检测到转子转到位置以后再将H1、H2置低电平，L1、L2置高电平（我以为是关断输出），延时一些时间后置L1高电平，H2送pwm，
问题情况：
按照上面的流程，电机能运行，空载的时候功耗很低，但带负载的时候电流在0.7A左右，运行十几秒钟之后电机开始出现一点抖动，好像没有力度一样，MOS管发热比较大，而且我发现栅极电阻也发热，大概在50°C左右，我把栅极电阻换成22欧姆，结果烧了三个MOS管和一片2103，自举电容也增加到2.2μF，不见改善。我调试的时候用直流稳压电源给H桥，限流500MA，这样不至于烧坏元件，方便查找故障，但目前没有进展，我用小直流电机作负载时，试验单向运行，发现电机运行不是很平稳，没有示波器，用万用表量自举电容两端有12V电压，栅极电阻两端竟然有2V左右的压降，到GS端才3V多，PWM频率大概是20K，占空比50%左右，这样的条件下也不知道栅极电压够了没，现在纳闷的是加大栅极电阻到100欧姆都没什么大的改善，还是发热，电路很简单，也不知道往哪下手了，手上也没有MOS可以代换的，IRF830的Rds是1.5欧姆内吧，PDF上描述的，栅极电容600多nF好像，各位坛友帮忙分析下原因，先谢谢啦 忘了一个问题了，IR2103的自举电容充电是靠本侧的下管导通充电还是通过电机的线圈和对侧下管导通来充电的？这个我还搞不清楚，本侧MOS管导通充电的话，那充满电以后维持不了多久呀，如果是对侧下管导通充电的话，PWM只要不达到大家所说的95%以上应该就能充电吧，我现在使用50%的占空比，充电应该足够了吧，但我用万用表测量GS电压才不到4V，就权当作8V的电平吧，但栅极电阻吃掉的2V多电压太浪费了，这是什么原因造成的？栅极开通时没有什么电流的吧？
IR2103自带死去时间，我看PDF的逻辑，H1和L1电平不一样就可以关断输出，那我是不是可以通过H1低电平L1高电平来人为修改死区时间呢？目前我就是这样做的，但我不敢确定，手上没有专业仪器，只想做好它，然后再改成正弦波的信号做简单的变频驱动器。 LZ你这个单相永磁电机驱动电路做好了么？我也想做呐 怎么没人分析呢？我也想听听
页:
[1]