一般大功率管是不是放大倍数都小丫?大概在什么范围内呢?我需要确定一下驱动电流。
就是音响里用的那种大功率管它的放大倍数在什么范围内呢? 20 BJT 10~25所以前级要放大才能驱动 MOS管对应的量是跨导 gm 又来不会看datasheet的了? 我有点闲,帮楼主查了仙童C5200功率管的HFE,请看图http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_39/ourdev_642102CL81D4.jpg
(原文件名:2SC5200.jpg) "帮楼主查了仙童C5200功率管的HFE,"
those are for linear applications where the transistor isn't saturated.
for switching applications, you want the transistor to saturate (or you burn up your transistor). so 10 is a safe answer. datasheet的图有时候比参数表更重要,因为参数表只能列出某个条件下的参数,而图能表现不同条件下参数的变化。
下面简单说一下主要的几个图怎么看,也以C5200为例:
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_39/ourdev_642118OFNVBD.jpg
VCE-IC关系图 (原文件名:1.jpg)
上图中右上角标注测试条件为共射电路,温度25摄氏度。X坐标是VCE,Y坐标是IC,每条曲线上标记的数字是IB,所以这张图反映的是不同基极电流时,CE压降和集电极电流之间的关系。例如你做线性稳压电源,最大电流4A,此时你希望调整管压差在2V以内,那你可以从这张图查到,驱动电流IB需要在40mA-50mA之间,而普通运放输出电流一般只有20mA,所以你需要多一级驱动才能有足够的驱动电流。
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_39/ourdev_642119QJHDZX.jpg
VCE(SAT)-IC关系图 (原文件名:2.jpg)
这张图是不同外壳温度下CE饱和压降和IC的关系,条件为共射,IC/IB=10(也就是millwood说的开关状态最好取HFE=10以获得最低的饱和压降)。
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_39/ourdev_642120BB2JJL.jpg
IC-HFE关系图 (原文件名:3.jpg)
注意这张图左下角的条件:共射,VCE=5V,说明这张图呈现的是放大状态下不同温度的IC-HFE关系,所以不要看着这个HFE去考虑开关状态的驱动电流,除非你想开关状态的VCE达到5V。另一方面来看,这张图很清楚的表现出三级管的正温度系数特性,温度越高HFE越高,温度升高时同样的IB会得到更大的IC,所以线性放大电路的偏置必须考虑三极管的正温度系数特性,做相应的补偿。否则,偏置电流固定时温度升高使IC增大,温度进一步升高,恶性循环下去就会烧管子了。 mark~ 讲得很好 2N3055 20~70 "说明这张图呈现的是放大状态下不同温度的IC-HFE关系"
the best for that is the Vbe vs. Ic vs. T chart.
most power bjts give you a chart on saturated Ic vs. Vce (assuming typically Ic=10*Ib).
using beta=10 is pretty much a standard practice for switching applications. 不要忘记还有管子叫达林顿。 回复【6楼】gzhuli咕唧霖
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大师果然是大师,讲的通俗易懂。谢谢您以及各位前辈 回复【6楼】gzhuli 咕唧霖
datasheet的图有时候比参数表更重要,因为参数表只能列出某个条件下的参数,而图能表现不同条件下参数的变化。
下面简单说一下主要的几个图怎么看,也以c5200为例:
vce-ic关系图 (原文件名:1.jpg)
上图中右上角标注测试条件为共射电路,温度25摄氏度。x坐标是vce,y坐标是ic,每条曲线上标记的数字是ib,所以这张图反映的是不同基极电流时,ce压降和集电极电流之间的关系。例如你做线性稳压电源,最大电流4a,此时你希望调整管压差在2v以内,那你可以从这张图查到,驱动电流ib需要在40ma-50ma之间,而普通运放输出电流一般只有20ma,所以你需要多一级驱动才能有足够的驱动电流。
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vce(sat)-ic关系图 <font color=green>(原文......
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这个 咕唧霖,功力雄厚 + 热心耐心,坛中兄弟们有福了! 学习了 多谢指教 这张图是不同外壳温度下CE饱和压降和IC的关系,条件为共射,IC/IB=10(也就是millwood说的开关状态最好取HFE=10以获得最低的饱和压降)。
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请问一下:Hfe不是三级管的特性之一吗,那么饱和状态下选它等于10是什么意思?怎么选得它为10,谢谢!
这个10只是一个典型值吧。 回复【16楼】ifree64
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Hfe不是固定值,随着Tj、Ic、Vce变化的,在饱和状态下Hfe下降得很厉害,所以要获得足够低的Vce(sat),又要兼顾电流放大作用,10~20是比较折中的经验值。 mark 听君一席话!胜读十年书 回复【6楼】gzhuli 咕唧霖
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讲得好,学习了! mark
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