24V无刷电机,上半桥怎么很热,没有用PWM,全速运行。
如题,我用Atmega8驱动一台100W的无刷电机,电机空载的时候,只要启动电机,上半桥就会很热,奇怪,是不是IRF540N不适合,电路参考Mirochip公司的应用笔记http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_38/ourdev_632092VEW3S5.jpg
使用IRF540N (原文件名:电路图2.jpg)
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_38/ourdev_632093ZX0Z3Q.jpg
Microchip应用笔记 (原文件名:电路图.jpg)
干脆把原理图和microchip的应用笔记传上来
点击此处下载 ourdev_632094KAPI9Q.pdf(文件大小:23K) (原文件名:电路图.pdf)
点击此处下载 ourdev_632095QXBMHI.pdf(文件大小:27K) (原文件名:应用笔记.pdf) E4 E5 E7换成10uF的看看 我试过啦,还是会发热的, 我看的是E5,E6,E7上臂的自举电容,应该采用无极性的电容,容量倒不用很大有个2.2uF就可以。这里要求的是在足够短的时间里把电压充到一定值,这个电压在随后的时间里对MOS管的栅极充电,所以要满足电压、电荷和内阻3方面的要求,如果是用了大的电解电容,电荷是够了,但是等效电阻大放电电流小而且电压低是不行的。
用示波器观察上臂MOS管的Vgs,看看这个电压在上臂开通的时候是否能达到10V;
RF307没有资料,如果是FR307的话是个快回复的1000V的管子,一个是没有必要,再一个是速度慢、导通电压高,这个换个耐压50V的肖特基的管子比较合适; BLDC最好是用专用DSP如果电机转速不快的话MEGA8还凑合.
你这里好像没有用PWM. 速度太快采集来不及.容易产生过相短路.
MEGA8要调制3相PWM是肯定不行的了,那适当的降低一点工作电压试试吧. 以前有做过驱动直流有刷电机,实现正反转,上半桥要用P沟道的MOS管,这样就不会发热,但是无刷电机第一次做。 上管断开后给点时间通下管,这个情况是自感量小的电机在小电流时桥臂拉不到地,导致自举电容充电不足。 自举电容采用47UF的。可以为电解电容。 另外15V 在三个2101的合适位置加个100uF的电容 上臂驱动电压过低吧?驱动电压15V对吧?而上臂的源极接电机,漏极接24V,可能处于放大状态了,非开关状态,发热就正常了,建议把上臂增加一级驱动,并且换成P沟道MOS管 上桥驱动电压有问题。用示波器看8脚对地电压,运转起来后应该不低于34V否则增大自举电容。 好像IR210X不能用于全速(100%占空比)运行,我以前用的2104也有这种情况,将输入直接接高低电平时,上臂的输出电压只能维持很短时间,然后上臂的一个管发热直至烧坏,电容增加也只会延长这一过程,不能从根本上解决问题。最后换上PWM后就好了,可能是自举电容充电赶不上放电吧。 回复【11楼】rj44444任杰
好像ir210x不能用于全速(100%占空比)运行,我以前用的2104也有这种情况,将输入直接接高低电平时,上臂的输出电压只能维持很短时间,然后上臂的一个管发热直至烧坏,电容增加也只会延长这一过程,不能从根本上解决问题。最后换上pwm后就好了,可能是自举电容充电赶不上放电吧。
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他用的是三相电机,自举电容每个周期轮流有1/3时间来充电的 回复【12楼】vivalite
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我错了!
----------------------------------------------------------------------- 上半桥热,下半桥不热,就可以确定是上半桥的开通时没完全打开,【3楼】 abuzhu 白沙的建议好好看看 你用示波器看看你的上半期桥波形就什么都明白了 一次用来做H桥驱动直流有刷电机,上下桥全是用IRF540N,上半桥也发热很厉害,后来上半桥换成IRF9540 的P沟道MOS管,就都正常,
是什么原因,现在也不清楚。
俺手上没有示波器,但是,我估计,我换一个型号的MOS管就可以,估计明天会回来,有了结果,马上跟大家汇报。 我现在也在无刷电机的控制,已经一年多了。从我的经验来看,电路采用IR2101驱动,输入可以加下拉电阻,这样可以确保上电时候,不确定的状态,拉为低电平,但是如果有高电平的干扰还是不能除掉,但是这样做没有问题。自举电容电路没有问题,电容的容值我一般也是选择3.3uf没有问题。但是最好再并联一个104的贴片电容。到了MOSFET的门级信号,通过一个33欧姆的电阻。这样的话,按照我的理解,IR2101我没有用过,但是驱动电流一般是100到200毫安的情况。所以,充电电容电压是15V,15除以33欧姆=500毫安左右。但是我怕你这样做,超过芯片的驱动能力。会导致驱动不正常,我希望你可以将这个电阻改大点,到100左右,或者可以更大点。但是不能太大,因为太大,MOSFET的开通时间会变长。接下来,我想着,你的驱动方式应该不是互补对称的PWM信号,所以,我感觉你应该在你的MOSFET上面并上续流二极管了。这样可以减少MOSFET的发热。采用内部的MOSFET散热会增加MOSFET的发热情况。其他的情况就是,你现在目前的地应该是和5V和15V的地一起接起来没有 隔离吧。这样低压没有什么问题的。但是我建议,IR2101的COM端应该和驱动桥的下桥的源级接到一起。当然串联一个小电阻最好,但是一定要保证上桥驱动回路的电阻要和下桥的回路的电容相同。希望可以给你提供思路 IR2101要用互补的,带死区的PWM驱动,而且不能是100%占空比。否则IR2101不能自举,导致上半桥不完全导通 这个要标记,最近搞H全桥 现在换成IRFZ46NS的管子,一点都不会发热了,具体原因未知, MARK,学习中 发热的问题解决没有?
上管的波形好不好? 最近也在弄无刷电机,上臂用的IRF5305,下臂用的HRF3205,MEGA16控制,没有PWM调速,想请教下:为什么通电30S左右,上臂就发热非常严重呢? 等待学习经验 等待学习经验 如果PWM要达到100%,就不能用自举了····不然实际PWM只有90多,而且MOS开关损耗大。如果上桥要100%,两种办法,一是换PMOS···或者用一个辅助电源(不能从主电源上取,要隔离)驱动上管的NMOS,就可以了····随便挑一个··· 最近在弄无线充电的案子,单线圈,驱动用的IR2301,MOS管用的AO3400,也是发热严重,烫手,不知道怎么弄 静等学习.....
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