mkliop 发表于 2010-11-19 17:38:49

问问这个电路里那个倍压电路的作用？

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_34/ourdev_599101FFTNEJ.jpg
(原文件名:未命名.jpg)

这是全部的原理图
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_34/ourdev_599102ZKCHV4.jpg
(原文件名:饿.jpg)

这部分的作用是什么？ 为什么来个高压呢 ？

huayuliang 发表于 2010-11-19 19:04:13

你注意这个电路采用的MOSFET类型——N沟道的。
如果不用倍压电路，输入30V输出最高24V，MOSFET的栅极电压不够。。

如果用P沟道的，就不需要这个倍压电路了。

sunnyhook 发表于 2010-11-21 19:10:42

回复【1楼】huayuliang 花生
你注意这个电路采用的mosfet类型——n沟道的。
如果不用倍压电路，输入30v输出最高24v，mosfet的栅极电压不够。。
如果用p沟道的，就不需要这个倍压电路了。
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我觉得用NMOS的话，栅极的电压应该是30+VGS(TH)才能达到小压降输出，如果没有倍压电路，最大输出电压为30-VGS(TH)，所以需要一个高于30+VGS(TH)的电压才行。

huayuliang 发表于 2010-11-21 21:50:46

回复【2楼】sunnyhook
回复【1楼】huayuliang 花生
你注意这个电路采用的mosfet类型——n沟道的。
如果不用倍压电路，输入30v输出最高24v，mosfet的栅极电压不够。。
如果用p沟道的，就不需要这个倍压电路了。
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我觉得用nmos的话，栅极的电压应该是30+vgs(th)才能达到小压降输出，如果没有倍压电路，最大输出电压为30-vgs(th)，所以需要一个高于30+vgs(th)的电压才行。
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线性稳压电路，关键的一点就是调整管是工作在线性区域内，采用 N-MOSFET，栅极比源极高出4V左右。而输入电压要比栅极还要高，并且D-S之间的等效电阻也要保证有足够的调整率，DS的最小压差应该在10V以上（没计算，只是估出来的）。这种电路没法做到较低的电压跌落。（抽空得看下低调整电压的LDO原理了）。

前面说的使用P-MOSFET，当时没仔细考虑，如果用P-MOSFET的话，只能放在低边了。

mkliop 发表于 2010-11-23 20:22:02

如果那样 TL431的耐压够吗？

sunnyhook 发表于 2010-11-23 21:48:43

回复【4楼】mkliop 金灯剑客
如果那样 tl431的耐压够吗？
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那要看RW质量够不够过关，有天要是失效接触不良了，就是TL431的末日了，包括负载电路。

673104326 发表于 2014-11-4 23:21:40

mkliop 发表于 2010-11-23 20:22
如果那样 TL431的耐压够吗？



给你一个仿真图，可以参考一下。

liub007 发表于 2014-11-14 23:45:22

sunnyhook 发表于 2010-11-23 21:48
回复【4楼】mkliop 金灯剑客
如果那样 tl431的耐压够吗？
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431坏不了的，串了电阻。

gsnDragon 发表于 2014-11-14 23:51:08

本来有心想解答一下，结果发现有答案了，更重要的是竟然还是个坟贴……
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