问问这个电路里那个倍压电路的作用?
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_34/ourdev_599101FFTNEJ.jpg(原文件名:未命名.jpg)
这是全部的原理图
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_34/ourdev_599102ZKCHV4.jpg
(原文件名:饿.jpg)
这部分的作用是什么? 为什么来个高压呢 ? 你注意这个电路采用的MOSFET类型——N沟道的。
如果不用倍压电路,输入30V输出最高24V,MOSFET的栅极电压不够。。
如果用P沟道的,就不需要这个倍压电路了。 回复【1楼】huayuliang 花生
你注意这个电路采用的mosfet类型——n沟道的。
如果不用倍压电路,输入30v输出最高24v,mosfet的栅极电压不够。。
如果用p沟道的,就不需要这个倍压电路了。
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我觉得用NMOS的话,栅极的电压应该是30+VGS(TH)才能达到小压降输出,如果没有倍压电路,最大输出电压为30-VGS(TH),所以需要一个高于30+VGS(TH)的电压才行。 回复【2楼】sunnyhook
回复【1楼】huayuliang 花生
你注意这个电路采用的mosfet类型——n沟道的。
如果不用倍压电路,输入30v输出最高24v,mosfet的栅极电压不够。。
如果用p沟道的,就不需要这个倍压电路了。
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我觉得用nmos的话,栅极的电压应该是30+vgs(th)才能达到小压降输出,如果没有倍压电路,最大输出电压为30-vgs(th),所以需要一个高于30+vgs(th)的电压才行。
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线性稳压电路,关键的一点就是调整管是工作在线性区域内,采用 N-MOSFET,栅极比源极高出4V左右。而输入电压要比栅极还要高,并且D-S之间的等效电阻也要保证有足够的调整率,DS的最小压差应该在10V以上(没计算,只是估出来的)。这种电路没法做到较低的电压跌落。(抽空得看下低调整电压的LDO原理了)。
前面说的使用P-MOSFET,当时没仔细考虑,如果用P-MOSFET的话,只能放在低边了。 如果那样 TL431的耐压够吗? 回复【4楼】mkliop 金灯剑客
如果那样 tl431的耐压够吗?
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那要看RW质量够不够过关,有天要是失效接触不良了,就是TL431的末日了,包括负载电路。 mkliop 发表于 2010-11-23 20:22
如果那样 TL431的耐压够吗?
给你一个仿真图,可以参考一下。 sunnyhook 发表于 2010-11-23 21:48
回复【4楼】mkliop 金灯剑客
如果那样 tl431的耐压够吗?
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431坏不了的,串了电阻。 本来有心想解答一下,结果发现有答案了,更重要的是竟然还是个坟贴……
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