ARM烧写程序的问题，跪求大侠帮忙解决。急！！！
使用的ARM芯片型号为LPC2214,外部flash的型号为SST39VF1601,外部ram型号为IS61LV51216.现在设置如下：
flash接boot0,地址为0x80000000；ram接boot1,地址为81000000；ARM内部ram的地址为0x40000000；
现在需要将ADS1.2中编译的HEX文件烧写到外部flash中，实现程序脱机运行。
ADS1.2中设置是：选择的模式是：reloutchip
Target>ARM target>post-linker>ARM fromELF
ARM linker>OUTPUT> ro base=0x000、image entry point=0x000
ARM fromELF>OUTPUT FORMAT=Intel 32 bit HEX、OUTPUT FILE NAME=E:\111.i32
出现的问题是：1、在使用H-FLASHER Promgram时，出现“Error:Destination flash address is out of range”
2、当设置ro base=0x80000000,rw base 不设置；make后生成的.i32文件，可以通过H-flasher下载进去。但程序不能正常运行。
本人是菜鸟，这个问题困扰了我很久，不知道你们看懂我的问题没有。希望高手能帮我解决这个问题，这个设置跟rw base 有关吗？如果有关,那rw base 要设为何值？是否脱机处理还需要设置什么选项？手头上保存有一份正确的.i32文件，打开正确的文件和问题2生成的.i32文件对比，发现只有第一行是一样的“:0200000480007A”。后面我就各贴一行作为对比，希望对解决问题有帮助。正确第二行：“:1000000018F09FE518F09FE518F09FE518F09FE5C0”；错误第二行“:1000000090808FE20F0098E8080080E0081081E0FF”。
调试中发现，我没有对ram的地址做设置，假如我要使用外部ram，将外部flash的程序掉到外部ram脱机运行，要怎么设置。
问题有点乱，自己也被整晕了，如果大家有看不懂得，希望能留言交流。小弟在此谢谢大家了。 使用H-JTAG烧写程序时是怎么设置地址的？楼主没说清楚，会不会这里出现问题了？
另外烧写的都是HEX或者BIN格式的文件，不知道i32是什么格式的文件？ 回复【1楼】xiaotime
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.i32文件时 intel 32 bit hex ，跟hex是一样的。在H-Flasher中，设置FLASH Start address 0x80000000，RAM start address：0x81000000。 额……，怎么这么冷清，跪求达人解释。如果有遇到类似问题的兄弟，欢迎留言讨论哈。 已经弄清楚怎么生成烧写到外部FLASH的.hex文件，在ADS1.2中选择目标reloutchip，ARM linker>scattered>.\src\mem_c.scf.
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