le_le 发表于 2010-8-16 20:32:07

恒流斩波方式控制步进电机,什么原因让本可承受75A的MOSFET管子会这么热(连续平均电

以恒流斩波方式控制步进电机,什么原因让本可承受75A的MOSFET管子会这么热(连续工作电流1.2A,电机线圈上测得正弦波峰值电流5A),死区时间1us,
产品已经正常工作一年多了,但MOSFET管子热的问题总是让我想不明白,请高手帮忙分析下.

MOSFET管的驱动是IR2104驱动的:

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_32/ourdev_575375.jpg
(原文件名:2010-08-16_20-11-29.jpg)

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_32/ourdev_575376.jpg
(原文件名:75.jpg)

le_le 发表于 2010-8-16 20:38:28

步进电机是2相的,线圈电阻值4欧左右,电感0.8mH

holycat 发表于 2010-8-16 21:42:30

发热的只是T1、T3吧？

le_le 发表于 2010-8-16 21:51:46

回复【2楼】holycat 仙猫
发热的只是t1、t3吧？
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是的,能讲讲原因吗? 谢谢

holycat 发表于 2010-8-16 22:09:20

要使T1、T3低阻导通，必须有足够大的VGS，这就要求T1、T3两个栅极的控制电压>>24V电源才行。
要么把T1、T3改成P-MOS管，把控制极性反过来。

le_le 发表于 2010-8-16 22:28:31

回复【4楼】holycat 仙猫
要使t1、t3低阻导通，必须有足够大的vgs，这就要求t1、t3两个栅极的控制电压>>24v电源才行。
要么把t1、t3改成p-mos管，把控制极性反过来。
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T1 T3 的G对地电压,示波器测量都能达到36V ,怀疑是不是MOSFET关断时间慢了.

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_32/ourdev_575427.jpg
(原文件名:2010-08-16_22-23-45.jpg)

holycat 发表于 2010-8-16 22:58:18

　第1次见IR2104，看了资料里的框图，这个芯片的VB是内置FET的高端电源，并由此输出HO去控制桥路高端FET栅极的。俺的理解是：在你的电路里要给VB提供>>24V的电压才行。从直流分析不出示波器读到的VG=36V，怀疑是回路中电感的作用或测量地线问题，不是稳定的控制电压。
　用示波器看一看T1、T3的VG和VDS的波形关系就应该能明确管子为什么发热了，俺估计是D-S导通不彻底，问题就在控制电压VG上。

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_32/ourdev_575434.gif

waitingconfirm 发表于 2010-8-16 22:59:40

高端应该用 P-MOS，这没啥好讲的

PS：当然更完善的办法是给高端的管子额外加套驱动电路……

shinehjx 发表于 2010-8-17 08:33:33

看电路没啥问题，vb=36v也正常，c3要用瓷片或钽0.1至数uF(步进驱动)，斩波频率不要太高，一般就20多K吧，正弦波峰值电流5A有点热也正常，和别人的比要同类型的驱动方式比才有可比性

forever37 发表于 2010-8-17 09:37:51

学习！

tongyf 发表于 2010-11-23 15:40:12

高端mos发热跟开关速度有关，速度慢就会发热
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