恒流斩波方式控制步进电机,什么原因让本可承受75A的MOSFET管子会这么热(连续平均电
以恒流斩波方式控制步进电机,什么原因让本可承受75A的MOSFET管子会这么热(连续工作电流1.2A,电机线圈上测得正弦波峰值电流5A),死区时间1us,产品已经正常工作一年多了,但MOSFET管子热的问题总是让我想不明白,请高手帮忙分析下.
MOSFET管的驱动是IR2104驱动的:
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_32/ourdev_575375.jpg
(原文件名:2010-08-16_20-11-29.jpg)
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_32/ourdev_575376.jpg
(原文件名:75.jpg) 步进电机是2相的,线圈电阻值4欧左右,电感0.8mH 发热的只是T1、T3吧? 回复【2楼】holycat 仙猫
发热的只是t1、t3吧?
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是的,能讲讲原因吗? 谢谢 要使T1、T3低阻导通,必须有足够大的VGS,这就要求T1、T3两个栅极的控制电压>>24V电源才行。
要么把T1、T3改成P-MOS管,把控制极性反过来。 回复【4楼】holycat 仙猫
要使t1、t3低阻导通,必须有足够大的vgs,这就要求t1、t3两个栅极的控制电压>>24v电源才行。
要么把t1、t3改成p-mos管,把控制极性反过来。
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T1 T3 的G对地电压,示波器测量都能达到36V ,怀疑是不是MOSFET关断时间慢了.
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_32/ourdev_575427.jpg
(原文件名:2010-08-16_22-23-45.jpg) 第1次见IR2104,看了资料里的框图,这个芯片的VB是内置FET的高端电源,并由此输出HO去控制桥路高端FET栅极的。俺的理解是:在你的电路里要给VB提供>>24V的电压才行。从直流分析不出示波器读到的VG=36V,怀疑是回路中电感的作用或测量地线问题,不是稳定的控制电压。
用示波器看一看T1、T3的VG和VDS的波形关系就应该能明确管子为什么发热了,俺估计是D-S导通不彻底,问题就在控制电压VG上。
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_32/ourdev_575434.gif 高端应该用 P-MOS,这没啥好讲的
PS:当然更完善的办法是给高端的管子额外加套驱动电路…… 看电路没啥问题,vb=36v也正常,c3要用瓷片或钽0.1至数uF(步进驱动),斩波频率不要太高,一般就20多K吧,正弦波峰值电流5A有点热也正常,和别人的比要同类型的驱动方式比才有可比性 学习! 高端mos发热跟开关速度有关,速度慢就会发热
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