lixin91985 发表于 2010-2-2 11:58:52

关于电调的几个疑问

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_25/ourdev_531731.jpg
(原文件名:1212.jpg)

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_25/ourdev_531732.jpg
(原文件名:ULN2003.jpg)


看了某位大侠的电调原理图。有几个问题一直很迷惑。
1，自举升压看很多人都没有要。本人也感觉没有那个必要。
2.大家都用三极管或者IR2010，为什么不用ULN2003，体积也小很多。

以上疑问是再比较5V系统和3.3V系统后得出的。我准备全部用STM32因为手上有些多余的IC，对于MOS管不是懂很多

fm007 发表于 2010-2-2 13:05:33

贴片三极管远小于2003哦！
用IR是有自举电压时的，一般是全N拓扑
用三极管是PN拓扑，而PN一般又难得配对！

fm007 发表于 2010-2-2 13:06:44

而且也没有必要用到2003的那么大电流，三极管足矣！

lixin91985 发表于 2010-2-2 16:35:23

对于三极管主要是组合起来体积小了很多。焊接也容易多了。三个三极管加三个电阻，体积不小了。


IR内部集成了自举电压生产的？？

全N拓扑也可以用三极管，不过这样控制逻辑改下就好了。

fm007 发表于 2010-2-2 20:29:09

确实可以，但是需要电平转换，我做的6N mos ，每相都用了3个三极管，麻烦！！

Spunky 发表于 2010-2-26 01:29:12

楼主这个电路我也看过，自举升压是为了在电感产生反向电压的时候，仍然保证Vgs的压差，使MOS管的导通电阻变得足够小，增加可靠性，并且在正向通电也可以保证最小的导通电阻，使驱动电流增大。当然不加也可以，导通电阻变大后靠MOS管的内部的续流二极管释放反向电流，正向时驱动电流稍微变小点。

原作者将过流检测送如MCU的内部AD采样，判断是否过流。当发生堵转或超大过载时，而MCU因为某种情况不响应(非隔离系统很有可能死机，虽然有看门狗，但在看门狗复位前的时间内仍然可能烧掉MOS管)，不能对过流情况进行及时处理，那么MOS管很可能被烧掉。

我想如果能够加一个硬件电路在过流时强制性关掉下臂的MOS管，打开上臂的MOS管释放反向电流会更好。

marty_f 发表于 2010-3-5 00:39:50

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