117433525 发表于 2009-10-26 13:24:19

降低PWM频率可以减少MOS管的发热吗？

在相同的时间内，PWM频率高时，它的导通和关断的次数比PWM频率低时要多，那么我想问一下，这时PWM频率高时它是不是比频率低发热量要大呢？

holycat 发表于 2009-10-26 14:22:17

在开关状态下，应该是这样。

snail0204 发表于 2009-10-26 14:32:02

减少开关损耗

wuly 发表于 2009-10-26 14:33:55

这个要综合各种因素考虑

coody 发表于 2009-10-26 14:50:32

看情况，有的时候并不明显

jackiezeng 发表于 2009-10-26 15:09:38

不一定的，你要加快开关的上升，下降率，才可以减少MOS发热。

117433525 发表于 2009-10-26 15:26:02

12V的电机，现在可以把它的电流控制到11A，但是工作几秒钟就发热很重，MOS管用12V推挽控制的，导通沿和关断沿都在300nS左右。PWM频率15.625K。另外，并在电机两端的那个二极管也发热，应该是反电动势电流太大了，现在手头上没有再大功能的二极管了，先两个二极管并在一起用着。
然后，电机的反电动势有两个方向，其中一个方向被二极管放掉了，然后另一个方向的反电动势直接跑12V电源上去了，然后应该是通过电解电容回到负极然后再通过MOS管内部的那个二极管反回到电机去的吧，我想MOS管发热会不会也因这个反电动势电流有关系。

kent 发表于 2009-10-26 16:07:30

问题出在死区控制上。

homemyc 发表于 2009-10-26 16:22:40

在条件相同的情况下,降低开关频率一定可以降低MOS的功耗。

MOS管的功耗主要有开关损耗和通态损耗。
首先要计算通态损耗的影响。Pcond=Idsrms*Idsrms*RDSon*Dmax,如果Idsrms=11A时，Dmax接近100%，RDSon取8豪欧，Pcond约1W。
再估算开关损耗。PSW=VDSoff*Idsrms*(tr+tf)*f/2。tr+tf=600ns,f=15625,VDSoff取24V，PSW=1.24W
Pmos=Pcond+PSW=2.24w。
如果MOS采用单个IRF3205 ,不加散热片时的热阻是62度/W。此时的温升是62*2.24=138度。
所以不管其他的条件，在这应用里必须加装良好的散热器。
由开关损耗的公式可以看出，反电动势的抑制的确是重要的，必须采用足够容量的低ESR的电解电容安装在MOS附件吸收反电动势，由于流过该电容的电流波纹很大，电容容易发热。
如果反电动势吸收不好，还会造成MOS关断不良的情况，需要用示波器实际观察。

ywl0409 发表于 2009-10-26 18:56:24

开关损耗还要包括结电容的损耗.在高压的开关中,这部分的损耗相当厉害.

117433525 发表于 2009-10-26 20:03:10

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_21/ourdev_496161.jpg
(原文件名:电源和PWM.jpg)

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_21/ourdev_496162.jpg
(原文件名:MOS管D极和PWM.jpg)

现在的问题是电流在9A以上就发热，在11A的时候可以保持几秒钟就汤手。而且反电动势很强，图中那个电源有波动就是那个电机搞的。直接影响到电源电压了（电源是用那种12V的电瓶），请大家帮我分析一下。

ywl0409 发表于 2009-10-26 20:16:30

看电流的波形.

johu 发表于 2009-10-26 20:17:30

电抗还是不够大

Heavin 发表于 2009-10-26 20:36:30

5楼是正解。

uc17812 发表于 2009-10-28 11:28:39

可以的

kalo 发表于 2009-10-28 12:11:50

楼主可以看看雕刻机主轴调速的那个帖子。

llz0734 发表于 2013-4-7 22:52:49

学习了。

wuyya 发表于 2013-4-7 23:14:52

8楼的担心很有道理，要好好检查一下死区。

yiyu 发表于 2013-4-7 23:21:59

本帖最后由 yiyu 于 2013-4-7 23:23 编辑

驱动输出给力不

combug 发表于 2013-5-22 21:38:44

发热是某个地方有问题
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