自己写的一个SDRAM控制器,时序仿真这样
看起来应该可以,但是到了板子上,数据乱的一塌糊涂。。。因为是自己做的,不方便用公司的仪器来测。
请问大虾,按默认设置做的时序仿真,到真实器件上的差异有多大?
SDRAM型号是 MT48LC2M32,EP2C8Q208C8N,板子布线SDRAM控制线和地址线长度最小6CM,最大8CM;加了电阻;数据线长度2CM-5CM。
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http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_16/ourdev_461975.gif 问题解决了,我对自己的焊功失望透顶。
正在以120MHZ的频率测试
睡觉,明天测试full page burst。。。 不知道楼主,可否总结一下,也好让我们参考一下!!! NIOS II有个自带的SDRAM控制器。用SOPC bulider建立后,目录下有代码文件,研究一下他们的代码就好了。我最早也以为很难,但实际上他们的代码也很简单,就是两个状态机,一个初始化一个读写加刷新。剩下的就是一些综合指示(约束)。
PLL配置到-63度(经典配置),我做的板子就可以正常工作了。不能工作的话,可以前后5度调节。 谢谢!我尝试一下!!! 请问一下楼主EP2C8Q多少米一片? 81还是82元,忘记了 mark... mark windowsce 发表于 2009-7-20 17:27 static/image/common/back.gif
NIOS II有个自带的SDRAM控制器。用SOPC bulider建立后,目录下有代码文件,研究一下他们的代码就好了。我最 ...
收藏,不过在哪个目录下找代码 mark {:smile:}标记 有个问题问下lz,一块MT48LC4M16的SDRAM,bank片选线有2根,也就是有4bank,相当于1bank=1M,把他转化成逻辑储存阵列是不是4个行为1024和列为1024的阵列,每个储存单元为16bit,这样理解对吗?
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