德国人电调原理图问题。
下午控制nmos为什么还要加电阻,直接avr io和nmos的G端相连有什么坏处??http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_12/ourdev_421769.jpg
(原文件名:1.jpg) 为什么需要100欧姆 和18k的电阻?? 还有一下的几个电阻怎么计算出来的??
680欧姆
4.7K
100欧姆
18K
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_12/ourdev_421772.jpg
(原文件名:2.jpg) 各位高手帮帮忙??这个问题已经困扰我1个月了。还是想不通 个人认为硬件还是照搬好……反正我照着焊效果不错……核心在软件上!
真要整明白,多看点模电书应该能解决…… 下拉是为了防止单片机复位时端口弱上拉造成管子意外导通,IO直接带MOS管都要这样做,P沟的要上拉,不过因为图中用的三极管就不用上拉了 驱动器内阻不能过小,以免驱动凹路的杂散电感与栅极电容形成欠阻尼振荡”.同时,过短的开关时间也会造成主回路过高的电流尖峰,这既对主回路安全不利,也容易在控制电路中造成干扰。 下拉是为了防止单片机复位时端口弱上拉造成管子意外导通,IO直接带MOS管都要这样做,P沟的要上拉,不过因为图中用的三极管就不用上拉了
驱动器内阻不能过小,以免驱动凹路的杂散电感与栅极电容形成欠阻尼振荡”.同时,过短的开关时间也会造成主回路过高的电流尖峰,这既对主回路安全不利,也容易在控制电路中造成干扰。
大侠经典的回答!!
还想问一下,我图中的三极管换成2n2222,也能转起来,电阻还和电路上的不一样,不知道有没有不好的地方 学习了 R17作用是防止震荡,R16是泻放电阻 也是抗干扰电阻。 R17和 R16的选择要根据MOS管的输入电容选择 R16和 Cgs的充放电周期要远远小于PWM的 Ton Toff 周期。 R17不可以过大 阻止过大会影响MOS的导通上延伸时间,导致MOS管功耗增发发热或者烧毁。 忘记说R2了,R2的大小对上臂的导通速度影响很大,因为我们知道虽然MOS是电压控制器件,它的导通时间受到MOS的Vgs影响,电路中Vgs上升速度越快 导通速度越快。根据RC电路得知 Vgs上升速度 跟对Cgs充电的电阻阻值关系密切,充电速度越快 导通时间越小,那么R2阻值就要越小。考虑到电路的工作效率,R2 Cgs的充电常数小于10倍PWM的Ton时间即可满足要求。 牛人!!! 标记一下 果然很牛 一看就知道楼主是做软件的,对硬件电路不熟悉…… R17作用是防止震荡
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这种震荡是指什么?怎么造成的? 回复【15楼】o11o
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这就是传说中的振铃,也就是LC震荡,C是MOSFET的CGS,L是由于器件封装的引脚以及栅极驱动的LAYOUT造成的,而R的作用也就是LRC中的R的作用,增加阻尼,阶跃响应变缓慢,振铃减少
而此时跨越米勒区间(也就是对CGD充电)的时间也变长了,而此时ID正在上升,MOSFET也没完全导通,所以这段时间是损耗最大的时期
然而过小的阻尼虽然使边沿迅速,但是振铃有可能沿着MOSFET的CGS,CGD耦合,甚至有可能开通半桥的另外一个MOSFET,形成串通,造成更大的损耗 PMOS 用上拉,NMOS用下拉.
用来保护MOS管的G极浮空,烧管子. 学习了 牛人 mark mark 很多商品电调都没有R16,不知道是出于什么考虑?
感觉成本和PCB处理影响不大啊
逆变器的电路无一例外的加了这个电阻! 学习! 路过学习啦,
一大早就看到这么好的贴,呵呵
很早以前自己用NMOS,一直关断有问题,就自作主张的加了一个1M的电阻在G级,就好了,后来慢慢才知道原理 回复【24楼】leoyang
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1M的电阻??呵呵 学习一下,LS的熊嘴里钓的柱形物是什么? 标记,以后好找,这几个电阻以前每怎么留意过,照搬的 路过,学习了。 学习中 学习了。。。 有一个电调设计全功率的文档可以参考下。 回复【24楼】leoyang
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我刚开始搞时,时大一,自学模电书,书上说场效应管是压控,于是乎就加10k,一直都是,直到渐渐长大,一年多过后才了解。。。 回复【32楼】qdlz2020
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求分享文档 markand 学习 基础扫盲!!!! mark,感觉电调要做的事情好多,好多不懂的地方哦 以前的帖子浏览不了了吗
MARK 德国人电调原理图问题 学习了
上下接是为了上电时MCU还没工作保护管子的 学习了。。。 路过,学习一下 mark下 大家都是牛人啊,标记防止忘记,学习了 看来电路的知识还需要多学习一下,基础是关键呀!
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