请问我用这样用AVR驱动三极管来控制MOS管对吗？【恢复】
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_11/ourdev_591964.JPG (原文件名:未命名.JPG)
我是这样想的：IO输出1时，三极管导通，则Q点处电压只是三极管的压降0.7V左右，这时MOS管不导通，当IO输出0时，三极管不导通，这时12V电压通过R8加到MOS管上，这时候就导通，R9是用来防止上电时IO来不及输出1会导致MOS管导通，二极管是防止12V电压直接到IO上损坏单片机的，不知道我这样分析对不对，第一次用MOS管，不熟悉，看了论坛所有的讨论最终都没有哪个适合的，大家帮我看看吧~~~
PS：我的负载是阻性的，通过电流大概6A左右，MOS管可能使用IRF540，还没定，开关频率远远大于1S，就把它当继电器用而已。虽然看手册说6A只要4.5V左右导通电压，但是不敢用IO直驱，怕导通不全，损耗大，而且12V要是上了IO也完蛋了。。。 直接用个SOP8的低压MOS就可以了,5V肯定能饱和 考虑得挺周到的。二极管没必要，只要三极管不坏12V是无法进来的，但基极限流电阻不能省。 是因为板子是单面的，不想用贴片的，而且怕12V会进入IO损坏芯片，所以就用IRF540直插，呵呵。
就是说这样分析应该对吧，再在基极加个限流电阻就OK啦？
VERY 感谢~~~
因为是看论坛的讨论改的图，而且第一次用，所以不确定自己分析对不对~~ 二极管还是必要的，这个管子的存在可以提高三极管反相器的转换门限，对电路的稳定性有很大好处。
电路中，还少了一个电阻：二极管和基极间应该加一个电阻，这样可以避免I/O端高电平时出现过驱动，当然，如果I/O是OC或OD输出时，这个电阻可以省略。 建议在FET的G-S间跨接0.01～0.1uF的电容，以减缓dv/dt。 总算有个正确的电路了，用来代替继电器，看了论坛一整天，讨论来讨论去，就没有我想要的 这样能行吗？5V经4148后三极管基极只有4.3V的样子，而三极管的CE极有12V电压，这个时候三极管不是工作在饱和状态，而是在放大区 【5楼】 holycat 仙猫
恩，对，虽然频率不高，加上也好，仙猫是大师啊，我问什么都懂，呵呵！ IO直接用个压降小的二极管连MOS,但需要下拉个电阻到GND,以防MCU启动是误导通,我是经常用24V+1A,没试过大电流。
6A，还是加三极管，深度导通 R8不能吸收电压吗？我是想让导通时电压都在R8上降下来，CE上不就只有0.7V吗？至于不导通时，只要不超过三极管的耐压就可以了吧？ 【9楼】 huanxian
不可以的，加了二极管，驱动电压就只剩4V左右，加上MOS管上的压降，就没了。
根据数据手册6A对应应该超过4V，所以要保护IO，加了个二极管就得三极管来驱动啦 不可以的，加了二极管，驱动电压就只剩4V左右，加上MOS管上的压降，就没了,
5-0.3=4.7V, 我用了肖特基 8楼：
这个G－S电容还是不加为好，MOSFET本身的Qgs就不小，加上这个电容，把上升沿拉缓，瞬时功耗会增加很多，弊大于利。 楼主的电路虽然能工作，但最好再修改一下
1 如果IO是推拉输出，那么电阻R9显得多此一举。
2 IO输出要加限流电阻，否则输出驱动电流会过大。
3 要用二极管来保护IO口，则三极管的BE极需并联一个适当的电阻以提高电路可靠性。
4 电阻R8明显过大，会导致MOS管开关损耗增加，特别是开关频率较高是更明显。
5 MOS管栅极如果布线较长，需要串联一个小电阻防止开关切换时产生寄生振荡。
6 三极管反相形式来驱动MOS管，要注意如果12V电压上电速度5V上电速度快时，MOS管将短暂的导通一下。
7 同上，IO口从上电到受控，需要一段时间，这段时间内也有可能使MOS管将短暂的导通一下。 1 如果IO是推拉输出，那么电阻R9显得多此一举。
7 同上，IO口从上电到受控，需要一段时间，这段时间内也有可能使MOS管将短暂的导通一下。
---R9的作用就是防止上电期间的导通，
6 三极管反相形式来驱动MOS管，要注意如果12V电压上电速度5V上电速度快时，MOS管将短暂的导通一下。
---不过到底是12V先上还是5V先上就不知道了。。。
4 电阻R8明显过大，会导致MOS管开关损耗增加，特别是开关频率较高是更明显。
---MOS管不是只要驱动电压达到了就可以导通吗，对电流有要求吗？R8是想限制三极管上的导通电流，不过用10K的也可以。。。
5 MOS管栅极如果布线较长，需要串联一个小电阻防止开关切换时产生寄生振荡。
---那在小电阻上流过6A的电流不就很浪费。。。
都说得很对，谢谢你的建议 LZ的思维有点乱~~呵呵，不要介意。。
栅极不会有电流，或者说只有很小电流，不知道你的6A哪里来。一般应用，栅极应该在接近进行MOSFET的地方串个比较小的栅极电阻，然后在栅极接个比较大的电阻到到，这个对寄生振荡的消除有好大好处。
其次，觉得R8偏大了。
再想说，你这样接法好少用，因为会很不安全很不可靠。一般来说，栅极的接低最好保持0V，甚至于负压，0.3伏不能完全满足。跨不同电平的做法最好是用多极三极管，如果要增大MOSFET的驱动电压，N沟通前面要P管，P沟道前面用N管，像下图接法可以会好点。
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_11/ourdev_593024.JPG
(原文件名:lz.JPG) 学习。 嗯，受教了，看了【16楼】 heavin 小文子 的图是在比我的好很多，呵呵~~
增多一级PNP三极管来控制，没想到，很巧妙，学习到了，谢谢~~~ 学习。 mark 记号 上面的两幅图都不好，第一幅导通慢，第二幅关断慢。导通关断时间要控制在500nS内为好。否则开关损耗太大，容易烧管。 导通关断时间要控制在100nS内为好. mark 开关损耗 与 开关产生的电压尖峰是矛盾，很多时候都需要实验取平衡点。
有时为了减少开关损耗 把导通时间调到100nS ，然后用上RDC吸收。
但有些场合再强的吸收电路也没用，电压尖峰以电磁方式辐射出去(EMI)导致附近的单片机都不用工作了。
有时散热有足够的余量 把导通时间调到500n～1u 随便搞个RC吸收电路就可以了。 还是用光耦来控制好了。。。 学学 感觉在GS上加个稳压管是不是能好点。 NB人一大堆学习了 学习 学习。
MOS管是N沟道增强型，这个我知道，呵呵 一个开关速度这么低的电路，折腾个什么劲啊 学习了 为啥不用mos管去推mos管呢。。 先学习一下。。。 未加基极限流电阻，输出低电平时，基极逻辑不确定。MOSFET可能工作在可变电阻区。开关速度慢，可加个肖特基二极管或基极电阻上并联个电容。 cowboy 真是高手 你们都是高手 mark mark mark MARK 学习了 每天学习。。每天有收获。。谢谢各位 Mark 学习了
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