怎么样修改才能让FLASH仿EEPROM的空间只有一个块？【恢复】
根据NEC-etouch 北京意同创科技公司提供的关于FLASH仿EEPROM的程序，原来的仿EEPROM的空间是两个块，但最近发现FLASH的空间有点不够，但不知道怎么修改才能让仿EEPROM的空间只有一个块。我例程序中我把EEPROM_BLOCK EQU 14 ; EEPROM area is needed sequential block
EEPROM_BLOCK_NO EQU 2 ; Using block number
修改为：
EEPROM_BLOCK EQU 15 ; EEPROM area is needed sequential block
EEPROM_BLOCK_NO EQU 1 ; Using block number
后发现写不了啦，
请NEC-etouch 北京意同创科技公司回答，谢谢！ 我用这两个数试了下写正常；
EEPROM_BLOCK EQU 14 ; EEPROM area is needed sequential block
EEPROM_BLOCK_NO EQU 1 ; Using block number
但我用这个两个数试了下，写入的数全为255：
EEPROM_BLOCK EQU 15 ; EEPROM area is needed sequential block
EEPROM_BLOCK_NO EQU 1 ; Using block number
我每次写入的数据为8个字节，有没有FLASH仿EEPROM空间只有一个块的例程？
很急！！！ 先谢谢各位了！！！
本贴被 ksh84222 编辑过,最后修改时间：2008-12-16,22:01:40. 这个nec没关系，有关系的只是flash存储器的结构，如果你用1个block，注定是不可靠的，比方说，你刚擦除这个page/block，准备从缓冲再写数据时断电了……，两个（包括两个）就很好办。
当然如果用flash模拟eeprom的话，可靠性保证方面的东西要多处理一些。关键的几点：增寿、可靠、接口简单 目前是不可以,从日电电子深圳的FAE中得知.最少要2 BLOCK. 不知道是不是这个问题啊 写数据之前 所有的要写的地方必须清零 然后再写 如果需要修改数据则所有的需要重新擦出再重新写 我曾经与遇到这个问题 使用FLASH仿EEPROM时，到底要注意什么问题，还有它有什么限制？ 我现在的问题也是在这里，今天我又试了下，发现在主函数的一开始的地方能写，但在主函数的其它的地方又不能写，写入的全是255 我也遇到了，写FLASH不成功的烦恼啊！
E-TOUCH的技术能不能给几个能用的例程啊！
最好是C的
我用9234可以
修改之后在9202上就不行了！
郁闷死了 项目马上要量产了 就在这个上面卡住了 我还做过这样的实验，在主函数的开头读写用FLASH仿的EEPROM正常，但是在其它的函数中写不正常，写入的数据全为255；
另外这些实验是直接在产品上运行的，而不是仿的。 不是很同意楼上的观点，你这个实验可能是在写数据不超过1个块的情况下,用1个块时，数据往flash写满之后，没有另外的块用来缓冲，就无法更新旧的数据，难道通过ram周转? 我以前做过实验，仿EEPROM可以只用一个FLASH块，至于楼主不能使用的原因，我想可能是你仿EEPROM的块已经用作仿真了，导致你不能正常修改。
你可以看一下，你仿真的单片机是否占用着你准备仿EEPROM的FLASH资源 真不知道应该怎么来描述我所碰到问题，在使用FLASH仿EEPROM前我写了测试这个功能的函数，发现这完全正常，但是在实际应用中却发现写入的数据全为255，真不知道是怎么回事！
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