提供NEC单片机78K0S仿EEPROM的范例程序
NEC单片机没有内置EEPROM，用户如果需要永久保存一些数据就可能需要外置一块EEPROM，这对用户而言要增加成本。现在NEC提供了用内置FLASH仿EEPROM程序，可以完成真正的EEPROM一样的读写次数。
代码在下面链接：使用的PM+版本为5.21，C编译器版本为1.50，汇编编译器版本为：1.40
点击此处下载 ourdev_384292.rar(文件大小:59K) (原文件名:eeprom_k0s_NEWEST.rar)
该方案说明文档如下：
KX1仿EEPROM说明文档ourdev_384293.pdf(文件大小:782K) (原文件名:KX1仿EEPROM.pdf)
希望能对大家降低成本，提高产品性价比有利。 谢谢。COOL !
版主能否先提供一些最基础的NEC入门资料与范例？
我们论坛有大量的AVR使用者，很多对NEC极感兴趣，相信好的资料会让更多人参与 :)
当然，邮购部会尽量配套这些资料，让大家更容易入门。 阿莫，你好。我们会逐渐提供NEC入门资料与范例的，
但是我们提供的入门资料需要在公司先测试，所以这个过程会稍微漫长一点。 先拍一砖，版主真是哪壶不开提哪壶，先入门例子啊，给大家讲下PM有哪些需要注意的地方，哪个PM实在有太多地方不习惯，但并不是错误，一下子真摸不透，拿100次擦写的FLASH，来代替EEPROM，真是，需要的EEPROM有几个字节就受不了了，校准参数还好，实时参数肯定是不行的。 TO楼主：
能否提供下IAR环境下的EEPROM程序呀？我感觉NEC的用IAR的环境比较多吧。建议入门例子用IAR做。 没有下载线啊，能不能提供下载线自制资料 ./emotion/em103.gifIAR,又爱又很，好用，但对NEC仿真支持不好，能支持MINI CUBE2仿真9222了没？ IAR不了解，说说如何用。 IAR与PM+我感觉最大的区别：IAR支持中文 PM报错简直是乱报，基本没参考价值，让人吐血 5楼的朋友，给你个下载线制作资料。
点击此处下载 ourdev_384412.PDF(文件大小:1.48M) (原文件名:2006MAR23_SD_RFD_TS_1.PDF) szpcbtest你好，NEC单片机的FLASH工艺烧写次数保证在1000次以上，采用NEC方案“空间换次数”可以让仿EEPROM的擦写次数和EERPOM一样高，这在家电行业已有大批量使用。
另外PM的报错也不至于乱报，毫无价值，他是能准确指出问题点的。
对于IAR的编译器，我们没有用过，所以很抱歉，我们提供不了技术支持。
对于PM使用中文，可以利用外挂编辑器的方式，来弥补这个问题 楼主说说怎么实现外挂编辑器的？ 嘿嘿，是1000次，100只是文档里面保守的算法。不过也不多。
外挂编辑器，就是千万别在PM里面改程序 TO 12楼的anxiangbo ，在这个网页里有个简单的示例，有介绍如何外挂编辑器。
http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=1412991&bbs_page_no=1&bbs_id=3013
TO 【13楼】 szpcbtest，NEC在官方手册里面写的擦写次数是1000次，这是说用FP4之类的编程器烧写的次数，而且这个指标是
保守的，用仿EEPROM方式的擦写次数要超过这个数字
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_10/ourdev_385235.JPG
(原文件名:FLASH参数.JPG) ls,这个数据是在哪个文档里出现的,能把文档号告诉我吗? 还要抬一杠，最大1000次，最小呢，在这里http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_10/ourdev_385380.GIF
(原文件名:0511.GIF) 78K0/Kx2 A版本的,似乎作了一些改进:
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_10/ourdev_388274.JPG
78K0Kx2 A Flash擦写数据指标 (原文件名:78K0Kx2 A Flash擦写数据指标.JPG) TO:sophie0403
这些数据在电气特性一张中有描述
TO:szpcbtest
你客气了，你这不是抬杠,很欢迎你用各种方式探讨NEC单片机
我们看的都是中文数据手册，这个数据可能有误，我重新找了英文数据手册看了一下，1000次是最少的
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_10/ourdev_388374.JPG
(原文件名:FLASH.JPG)
TO:riverbird
谢谢你一直关注NEC单片机
目前ALL FLASH单片机主推的都是你说的这个系列，这个改进工艺的系列命名规则是在原来的基础上加个A
比如：UPD78F0511的新型号是UPD78F0511A NEC的编程软件好用！
意同创：78F0453的样例程序在哪里？NEC的网站上没找到。 【18楼】 NEC-etouch 北京意同创科技公司
仿EEPROM方式的擦写次数***,对于我的产品，擦写1000次已足够，不知读的次数是不是无穷的？ 酷个头。
NEC使用FLASH模拟EEPROM的，也就是每块的数据只能擦写1000次。
如果要多次数使用EEPROM，就得用特殊软件计算方式绕开。。
不过NEC的保密性比AVR好的多 TO:sws222 狗胜子
读的次数是不限的，他限制的是写次数
TO:alexshao1978
你说的对，要取得足够多的烧写次数只能用牺牲代码空间换擦写次数。 NEC代理商: 北京意同创科技有限公司（www.etouch.net.cn）
公司电话：0755-88868778 ayulove 蔡蔡
你好
NEC的FLASH可以擦除次数是10000次。但是我们可以通过“空间换时间”软件设置方法，使其达到擦写10万次以上。 谢谢。 这种方式是不是只能存储少量数据？如果数据多了点是不是有问题了？例如512字节 TO 3楼：
请看过资料了解过原来再发表看法，谢谢。
这儿有个例程是K0S EEPROM 模拟 多字节（最多63*2个byte）。
我没太弄明白呢。
http://www.getsoon.com.cn/bbs/viewthread.php?tid=2444&extra=page%3D1&frombbs=1 支持一下 NEC FAE们就不能自己写一个可以任意写哪个块哪个位置的程序出来？抄来抄去全是NEC文档上的东西。 star();
erase(0x05);
erase(0x06);
erase(0x07);
for(k=0;k<0xFF;k++)
{
write(0x05,k,k);
write(0x06,k,k);
write(0x07,k,k);
}
stop();
想写哪个BLOCK就写哪个。以上程序在NEC的9202上通过。 写特定块的具体地址参考K0S用户手册Flash Memory那章的Flash Memory Programming by self programming那章
如果擦写次数不多的话，不用仿EEPROM的那些算法，每次写数据时先擦块再写 TO 【31楼】 feng89
兄弟 能不能把你的9202的C的 想写哪个BLOCK就写哪个 代码发给我一份啊
小弟我正在做一个项目 用9202 要写数据 自己按照K0S用户手册Flash Memory那章的Flash Memory Programming by self programming那章上的说明，写了个，怎么都写不成功啊 郁闷之极，第一次碰到这样的！
我的邮箱：scw8854780@sina.com
谢谢！！！ 据说如果模拟的话，EEPROM只能擦写1000还是10000次。这样是不是少了点？另外，据说擦的时候，整个页都要被擦掉？望高人出来指点。谢谢！ NEC-etouch 北京意同创科技 请问 对模拟eeprom的写可以达到10万次吗？
如果不可以最大可以达到多少次？ 回复【34楼】wangruiriu
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请问有没有C语言版本的
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